[发明专利]封装结构

说明书

技术领域

本发明有关一种封装结构，尤指一种具电磁屏蔽的封装结构。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能 的趋势。目前无线通讯技术已广泛应用于各式各样的消费性电子产品 以利接收或发送各种无线讯号，而为提升电性品质，多种半导体产品 具有屏蔽的功能，以防止电磁干扰(ElectromagneticInterference， 简称EMI)产生。

目前的电子产品均朝向小型化及高速化的目标发展，尤其是通讯 产业的发展已普遍运用整合于各类电子产品，例如移动电话(Cell phone)、膝上型电脑(laptop)等。上述的电子产品需使用高频的射频 晶片，且射频晶片可能相邻设置数位集成电路、数字信号处理器 (DigitalSignalProcessor，简称DSP)或基带晶片(BaseBand)， 因而互相造成电磁干扰的现象，所以必需进行电磁屏蔽 (ElectromagneticShielding)处理。

如图1所示，现有射频模组1是将多个电子元件11电性连接在一 承载件10上，再以如环氧树脂的封装材13包覆各该电子元件11，并 于该封装材13上罩设一金属薄膜12。该射频模组1藉由该金属薄膜 12保护该些电子元件11免受外界EMI影响。

惟，现有射频模组1中，该金属薄膜12形成于该封装材13的外 面以达防止EMI的功效，亦即该金属薄膜12与干扰源(即该电子元件 11)间隔有该封装材13，所以当该电子元件11为低频元件时，即使该 金属薄膜12覆盖该封装材13的上面与侧面，该金属薄膜12的屏蔽效 果仍然不佳，导致该低频的电子元件11的讯号容易发生错误。

因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课 题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明揭露一种封装结构，能有 效对该低频的电子元件产生屏蔽效果，以避免该低频的电子元件的讯 号发生错误。

本发明的封装结构包括：至少一低频的电子元件；至少一屏蔽件， 结合于至少一该电子元件上；以及封装材，其覆盖该电子元件与该屏 蔽件。

前述的封装结构中，该电子元件为封装基板、主动元件、被动元 件或导电线路。

前述的封装结构中，该低频是指3兆赫(MHz)以下。

前述的封装结构中，该电子元件为低频元件。

前述的封装结构中，该屏蔽件以结合层结合于至少一该电子元件 上，使该结合层形成于该屏蔽件与该电子元件之间。

前述的封装结构中，形成该屏蔽件的材质为铁氧体软铁材。

前述的封装结构中，该屏蔽件的耐热温度为300℃。

前述的封装结构中，该屏蔽件上设有另一电子元件。

前述的封装结构中，该屏蔽件的宽度小于、大于或等于该电子元 件的宽度。

前述的封装结构中，该屏蔽件完全或部分遮盖该电子元件。

前述的封装结构中，该屏蔽件的部分表面外露于该封装材。

前述的封装结构中，该封装材未形成于该屏蔽件与该电子元件之 间。

另外，前述的封装结构中，还包括承载件，其承载该电子元件并 电性连接该电子元件。

由上可知，本发明的封装结构中，藉由该屏蔽件直接结合于低频 的电子元件上的设计，而非将屏蔽件设于封装材外面的现有技术，所 以本发明的屏蔽件能有效对该低频的电子元件产生屏蔽效果，以避免 该低频的电子元件的讯号发生错误。

附图说明

图1为现有射频模组的剖面示意图；

图2为本发明的封装结构的第一实施例的剖面示意图；其中，图 2’及图2”为图2的其它实施例；

图3A至图3E为本发明的封装结构的第二实施例的不同实施例的 剖面示意图；

图4为本发明的封装结构的第三实施例的剖面示意图；

图5为本发明的封装结构的第四实施例的剖面示意图；

图6为本发明的封装结构的第五实施例的剖面示意图；

图7及图7’为本发明的封装结构的第六实施例的剖面示意图；以 及

图8为本发明的封装结构的第七实施例的剖面示意图。

符号说明

1射频模组

10,20承载件

11,21,41,51,61,61’,71,80,81电子元件

12金属薄膜