[发明专利]半导体封装件及其制法有效
申请号: | 201410507705.2 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN105514053B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 邱士超;林俊贤;孙铭成;白裕呈;沈子杰 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
封装层,其具有相对的第一表面与第二表面,且该封装层的第一表面上具有至少一开口;
线路层,其形成于该封装层的第一表面且嵌埋于该封装层中;以及
至少一电子元件,其设于该开口中并外露出该第一表面,该电子元件具有电极,该电子元件的电极通过多个导电元件接置一堆迭件,以令该堆迭件设于该封装层的第一表面上且电性连接该电子元件。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该开口未连通至该第二表面。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,形成该封装层的材质为封装胶材、介电材或感光型绝缘材。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该电子元件未外露出该第二表面。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该封装件还包括线路结构,其形成于该封装层的第二表面上且电性连接该线路层。
6.如权利要求5所述的半导体封装件,其特征为,该封装件还包括绝缘保护层,其形成于该封装层的第二表面上,且供该线路结构的部分表面外露出该绝缘保护层。
7.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该封装件还包括绝缘保护层,其形成于该封装层的第一表面上,且供该线路层的部分表面外露出该绝缘保护层。
8.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该封装件还包括多个导电元件,其形成于该线路层的部分表面上。
9.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该堆迭件电性连接该线路层。
10.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该封装件还包括另一堆迭件,其设于该封装层的第二表面上。
11.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该封装件还包括线路重布结构,其形成于该封装层的第一表面与该线路层上。
12.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征为,该半导体还包括线路重布结构,其形成于该封装层的第二表面上。
13.一种半导体封装件的制法,其包括:
提供一具有线路层的承载件;
形成至少一阻块于该承载件上;
形成一具有相对的第一表面及第二表面的封装层于该承载件上,使该封装层包覆该线路层与该阻块,且该第一表面结合于该承载件上;
移除该承载件与该阻块,以令该封装层的第一表面上形成开口;以及
设置至少一电子元件于该开口中,该电子元件具有电极,该电子元件的电极通过多个导电元件接置一堆迭件,以令该堆迭件设置于该封装层的第一表面上,且令该堆迭件电性连接至该电子元件。
14.如权利要求13所述的半导体封装件的制法,其特征为,该封装层为以模压制程或压合制程形成者。
15.如权利要求13所述的半导体封装件的制法,其特征为,该阻块为以金属电镀方式或网版印刷方式形成者。
16.如权利要求13所述的半导体封装件的制法,其特征为,该制法还包括形成线路结构于该封装层的第二表面上,并令该线路结构电性连接至该线路层。
17.如权利要求16所述的半导体封装件的制法,其特征为,该线路结构具有形成于该封装层中的多个导电柱,以供该线路结构藉该些导电柱电性连接该线路层。
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