[发明专利]半导体封装件及其制法有效

专利信息
申请号: 201410507705.2 申请日: 2014-09-28
公开(公告)号: CN105514053B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 邱士超;林俊贤;孙铭成;白裕呈;沈子杰 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法
【说明书】:

一种半导体封装件及其制法,该制法,先提供一设有线路层与阻块的承载件,再形成一具有相对的第一表面及第二表面的封装层于该承载件上,使该封装层包覆该线路层与该阻块,且该第一表面结合于该承载件上,之后移除该承载件与该阻块,以令该封装层的第一表面上形成开口,供电子元件设于其中,所以于置放该电子元件之前,可先对线路层与该电子元件分别进行测试,以淘汰不良品,因而能避免将半导体封装件整体报废而造成材料浪费的问题。

技术领域

发明有关一种封装制程,特别是关于一种半导体封装件及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展,电子产品亦朝着轻、薄、短、小、高积集度、多功能化方向发展。而为满足封装结构高积集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的封装需求,封装基版除了导入球栅阵列(BGA)的设计,封装形式逐渐由打线式(Wire Bonding)封装或覆晶式(Flip Chip,FC)封装进展到直接在一封装基板(packaging substrate)中嵌埋并电性整合一例如具有积体电路的半导体晶片,此种封装件能缩减整体半导体装置的体积并提升电性功能。

如图1所示,现有嵌埋式半导体封装件1包括:一具有相对第一及第二表面10a,10b及贯穿该第一及第二表面10a,10b的开口100的核心板10、设于该开口100中的晶片11、设于该核心板10的第一及第二表面10a,10b与晶片11上的线路增层结构13、以及设于该线路增层结构13上的防焊层16。

所述的晶片11具有作用面11a及非作用面11b,于该作用面11a上具有多个电极垫110,且藉由粘着材12填充于该开口100,以固定该晶片11于该开口100中。

所述的线路增层结构13具有至少一介电层130、设于该介电层130上的线路层131、及多个设于该介电层130中并电性连接该电极垫100与线路层131的导电盲孔132。

所述的防焊层16具有多个开孔160,以令该线路层131的部分表面外露于各该开孔160中,俾供作为电性接触垫以外接其他电子装置。

然而,现有半导体封装件1中,因整体结构包含核心板10,导致增加整体结构的厚度,而难以符合薄化的需求,且需考量该核心板的制作成本,因而难以降低整体制作成本。

此外,现有半导体封装件1的制法需先埋设该晶片11,待制作该线路增层结构13后,才进行测试,所以当测试后该半导体封装件1为不良品时,不论晶片11、该线路增层结构13或核心板10好坏与否,均需将该半导体封装件1整体报废,导致材料浪费,且大幅提高制作成本。

此外,该晶片11需经由各该线路层131才能电性连接外部的电子元件,导致讯号传递路径冗长,因而降低该半导体封装件1的电性效能。

因此,如何克服上述现有技术的种种问题,实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失,本发明提供一种半导体封装件及其制法,能避免将半导体封装件整体报废而造成材料浪费的问题。

本发明的半导体封装件,包括:封装层,其具有相对的第一表面与第二表面,且该封装层的第一表面上具有至少一开口;线路层,其形成于该封装层的第一表面且嵌埋于该封装层中;以及至少一电子元件,其设于该开口中并外露出该第一表面。

前述的半导体封装件中,该开口未连通至该第二表面。

前述的半导体封装件中,该电子元件未外露出该第二表面。

本发明还提供一种半导体封装件的制法,其包括:提供一具有线路层的承载件;形成至少一阻块于该承载件上;形成一具有相对的第一表面及第二表面的封装层于该承载件上,使该封装层包覆该线路层与该阻块,且该第一表面结合于该承载件上;移除该承载件与该阻块,以令该封装层的第一表面上形成开口;以及设置至少一电子元件于该开口中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410507705.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top