[发明专利]一种双栅SOI器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410509909.X | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104201193A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;彭超;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi 器件 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种双栅SOI器件结构，包括SOI衬底及形成于所述SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触，其特征在于：所述MOS晶体管还包括背栅极接触；所述背栅极接触设置于所述MOS晶体管正面，且穿通所述浅沟槽隔离结构及SOI衬底的埋氧层，与SOI衬底的背衬底接触。
2.根据权利要求1所述的双栅SOI器件结构，其特征在于：所述背衬底包括一掺杂区域，所述背栅极接触与所述掺杂区域连接。
3.根据权利要求2所述的双栅SOI器件结构，其特征在于：所述背栅极接触与所述掺杂区域之间还形成有一硅化物层。
4.根据权利要求1所述的双栅SOI器件结构，其特征在于：所述浅沟槽隔离结构底部到达所述埋氧层上表面。
5.根据权利要求1所述的双栅SOI器件结构，其特征在于：所述MOS晶体管为PMOS或NMOS。
6.一种双栅SOI器件结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅中形成用于隔离有源区的浅沟槽隔离结构；
S2：在所述有源区中形成栅极、源极及漏极，并形成覆盖所述栅极、源极及漏极的钝化层，得到MOS晶体管；
S3：在所述源极、漏极及栅极上形成接触通孔，同时在所述浅沟槽隔离结构及埋氧层中形成接触通孔；
S4：在所述接触通孔中填充金属，形成栅极接触、源极接触、漏极接触及背栅极接触。
7.根据权利要求6所述的双栅SOI器件结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，在所述浅沟槽隔离结构及埋氧层中形成接触通孔后，对所述接触通孔底部区域的背衬底进行掺杂，形成掺杂区域。
8.根据权利要求7所述的双栅SOI器件结构的制作方法，其特征在于：所述掺杂区域中的掺杂元素包括硼、磷及砷中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的双栅SOI器件结构的制作方法，其特征在于：对所述接触通孔底部区域的背衬底进行掺杂后，进一步在所述接触通孔底部形成硅化物层。
10.根据权利要求6所述的双栅SOI器件结构的制作方法，其特征在于：所述MOS晶体管为PMOS或NMOS。
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