[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201410513508.1 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104517873A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 长嶋裕次;松下淳;林航之介;宫崎邦浩;古矢正明;东野秀史;田内丰泰 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于:
对基板的正面供给清洗液,将该清洗液置换成挥发性溶剂,利用对基板的正面的加热除去挥发性溶剂,对基板的正面进行干燥,
所述基板处理装置具有溶剂置换单元,该溶剂置换单元将所述清洗液置换成低浓度的挥发性溶剂,然后进一步置换成高浓度的挥发性溶剂。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述溶剂置换单元设置在单个处理室。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
具有利用所述低浓度~高浓度的浓度不同的挥发性溶剂的各挥发性溶剂置换清洗液的多个溶剂置换单元,各溶剂置换单元设置在各自不同的处理室。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于:
将所述清洗液置换成所述低浓度的挥发性溶剂的低浓度溶剂置换单元,设置在对基板的正面供给清洗液和低浓度的挥发性溶剂的清洗室,
将所述清洗液置换成所述高浓度的挥发性溶剂的高浓度溶剂置换单元,设置在对被供给了清洗液和低浓度的挥发性溶剂的基板的正面供给高浓度的挥发性溶剂、将基板的正面的清洗液和低浓度的挥发性溶剂置换成高浓度的挥发性溶剂的溶剂置换室。
5.一种基板处理方法,其特征在于:
对基板的正面供给清洗液,将该清洗液置换成挥发性溶剂,利用对基板的正面的加热除去挥发性溶剂,对基板的正面进行干燥,
具有将所述清洗液置换成低浓度的挥发性溶剂,然后进一步置换成高浓度的挥发性溶剂的溶剂置换工序。
6.如权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于:
所述溶剂置换工序在单个处理室中进行。
7.如权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于:
具有利用所述低浓度~高浓度的浓度不同的挥发性溶剂的各挥发性溶剂置换清洗液的多个溶剂置换工序,各溶剂置换工序在各自不同的处理室中进行。
8.如权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于:
将所述清洗液置换成所述低浓度的挥发性溶剂的低浓度溶剂置换工序在对基板的正面供给清洗液和低浓度的挥发性溶剂的清洗室中进行,
将所述清洗液置换成所述高浓度的挥发性溶剂的高浓度溶剂置换工序,在对被供给了清洗液和低浓度的挥发性溶剂的基板的正面供给高浓度的挥发性溶剂、将基板的正面的清洗液和低浓度的挥发性溶剂置换成高浓度的挥发性溶剂的溶剂置换室中进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子装置股份有限公司;,未经芝浦机械电子装置股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410513508.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造