[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

基板处理装置是在半导体等的制造工序中向晶片、液晶基板等基板的正面供给处理液对该基板正面进行处理，然后向基板正面供给超纯水等清洗水将该基板正面清洗，进而将其干燥的装置。在该干燥工序中，随着近年的半导体的高度集成化和高容量化带来的微细化，发生例如在基板上的存储单元或栅极周围的图案崩塌的问题。这源于图案彼此的间隔或结构、清洗水的表面张力等原因。在干燥基板时残留在图案间的清洗水的表面张力所致的图案彼此的吸引，导致图案彼此弹性变形地倒塌，产生图案崩塌。

于是，以抑制上述的图案崩塌为目的，提出了使用表面张力比超纯水小的IPA(2-丙醇：异丙醇)的基板干燥方法(例如参照专利文献1)，将基板正面上的超纯水置换成IPA进行基板干燥的方法在批量生产工厂等中被使用。

专利文献1所记载的基板处理装置中，设置有对基板的正面供给清洗液的清洗液供给部、和对被供给了清洗液的基板的正面供给挥发性溶剂，将基板的正面的清洗液置换成挥发性溶剂的溶剂供给部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-34779号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

然而，在专利文献1所记载的基板处理装置的溶剂供给部，对基板的正面仅供给一次单一浓度的挥发性溶剂，所以将清洗液置换成挥发性溶剂的效率差。

被供给到基板的正面的清洗水未被充分置换成表面张力低的IPA等挥发性溶剂时，无法有效防止干燥基板时的图案崩塌。该图案崩塌随着半导体的微细化越发显著。

本发明的技术问题在于将基板正面的清洗水可靠地置换成挥发性溶剂，有效防止干燥基板时的图案崩塌。

用于解决技术课题的技术方案

本发明的基板处理装置，其特征在于：

对基板的正面供给清洗液，将该清洗液置换成挥发性溶剂，利用对基板的正面的加热除去挥发性溶剂，对基板的正面进行干燥，

上述基板处理装置具有溶剂置换单元，该溶剂置换单元将上述清洗液置换成低浓度的挥发性溶剂，然后进一步置换成高浓度的挥发性溶剂。

本发明的基板处理方法，其特征在于：

对基板的正面供给清洗液，将该清洗液置换成挥发性溶剂，利用对基板的正面的加热除去挥发性溶剂，对基板的正面进行干燥，

上述基板处理方法具有将上述清洗液置换成低浓度的挥发性溶剂，然后进一步置换成高浓度的挥发性溶剂的溶剂置换工序。

发明效果

根据本发明的基板处理装置和基板处理方法，能够将基板正面的清洗水可靠地置换成挥发性溶剂，有效防止干燥基板时的图案崩塌。

附图说明

图1是表示实施例1的基板处理装置的示意图。

图2是表示清洗室的示意图。

图3是表示溶剂置换室的示意图。

图4是表示实施例2的基板处理装置的示意图。

图5是表示溶剂置换室、搬送单元和干燥室的示意图。

图6是表示基板正面的挥发性溶剂的干燥状况的示意图。

图7是表示实施例3的基板处理室的示意图。

附图标记说明

10   清洗室

15   有机溶剂供给部(低浓度溶剂置换单元)

30   溶剂置换室

34   溶剂供给部(高浓度溶剂置换单元)

36   干燥单元

38   气体气氛形成单元

100  基板处理装置

200  基板处理装置

210  溶剂置换室

216  气体气氛形成单元

220  搬送单元

224  气体气氛形成单元

230  干燥室

236  气体气氛形成单元

300  基板处理室

308  溶剂供给部(溶剂置换单元)

W    基板

具体实施方式

(实施例1)(图1～图3)

如图1所示，实施例1的基板处理装置100具有清洗室10、搬送单元20、溶剂置换室30、搬送单元40和冷却单元50，将清洗室10和溶剂置换室30形成为分开的室。