[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括I/O器件区域和核心器件区域，所述I/O器件区域包括第一有源区和第一隔离结构，所述核心器件区域包括第二有源区和第二隔离结构；

对所述第一隔离结构进行刻蚀处理，减小所述第一隔离结构的厚度，从而使所述第一隔离结构上表面与所述第一有源区上表面的高度差减小；

在所述第一有源区上形成I/O介质层，在所述第二有源区上形成界面层；

所述刻蚀处理后剩余的所述第一隔离结构高出所述第一有源区上表面

还包括：

在所述I/O介质层和第一隔离结构上形成第一高k介质层，在所述界面层和第二隔离结构上形成第二高K介质层；

在所述第一高k介质层上形成第一金属栅极，在所述第二高K介质层上形成第二金属栅极；

对所述第一金属栅极和第二金属栅极进行平坦化；所述平坦化后，所述第一金属栅极的厚度为

在所述平坦化后，形成第一接触插塞连接第一金属栅极位于第一隔离结构上方的部分，形成第二接触插塞连接第二金属栅极位于第二隔离结构上方的部分。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀处理使所述第一隔离结构的厚度减小

3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述I/O介质层后，在所述第二有源区上形成界面层。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，

在所述第一有源区上形成所述I/O介质层时，所述I/O介质层同时形成在所述第二有源区上；

在形成所述I/O介质层后，去除位于所述第二有源区上的所述I/O介质层。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，

在所述第一有源区上形成所述I/O介质层前，在所述第二有源区上形成掩膜层；

在形成所述I/O介质层时，所述掩膜层防止所述I/O介质层形成在所述第二有源区上；

在形成所述I/O介质层后，去除所述掩膜层。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述第一有源区上形成所述I/O介质层前，对所述第一隔离结构进行所述刻蚀处理。

7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述第一有源区上形成所述I/O介质层后，对所述第一隔离结构进行所述刻蚀处理。

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述第一有源区上形成所述I/O介质层前，还包括对所述第二有源区和第一有源区进行阱区形成工艺，所述刻蚀处理在所述阱区形成工艺之前或者之后进行。

9.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，对所述第一隔离结构进行所述刻蚀处理包括：

在所述第二有源区和第二隔离结构上形成保护层；

以所述保护层为掩模，对所述第一隔离结构进行刻蚀；

在进行所述刻蚀后，去除所述保护层。

10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，对所述第一隔离结构进行所述刻蚀处理包括：

在所述第二有源区、第二隔离结构和第一有源区上形成保护层；

以所述保护层为掩模，对所述第一隔离结构进行刻蚀；

在进行所述刻蚀后，去除所述保护层。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述I/O介质层的厚度为

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺对所述第一隔离结构进行所述刻蚀处理，所述湿法刻蚀工艺采用的溶液为稀氢氟酸，所述稀氢氟酸中，水与氟化氢的质量比为50:1～3000:1。