[发明专利]一种大电流高压硅堆清洗工艺

权利要求书

1.一种大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤为：

a）首先，利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的时间t₁=84s±1s；

b）将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗；

c）然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗；

d）将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理，喷淋的时间t₂=300s±5s；

e）将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗；

f）再将高压硅堆利用EDTA-2Na超声清洗，清洗的时间t₃=84s±1s；

g）将经过EDTA-2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗；

h）将高压硅堆进行丙酮脱水处理；

i）最后，利用热N₂将高压硅堆吹干。

2.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤b中溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t₄=300s±5s，二级溢水清洗的时间t₅=300s±5s。

3.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤c中KOH溶液清洗一共有两道工序，分别为第一级KOH溶液清洗及第二级KOH溶液清洗，其中第一级KOH溶液清洗的时间t₆=84s±1s，温度T₁=84℃±4℃，第二级KOH溶液清洗的时间t₇=84s±1s，温度T₂=84℃±4℃。

4.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤e中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t₈=300s±5s，二级溢水清洗的时间t₉=300s±5s。

5.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤g中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t₁₀=300s±5s，二级溢水清洗的时间t₁₁=300s±5s。

6.根据权利要求5所述的大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述一级溢水清洗与二级溢水清洗之间还增设有超声清洗工序，超声清洗的时间t₁₂=300s±5s。

7.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤h中的丙酮脱水处理一共有两道工序，分别为一级丙酮脱水处理及二级丙酮脱水处理，其中一级丙酮脱水处理的时间t₁₃=300s±5s，二级丙酮脱水处理的时间t₁₄=300s±5s。