[发明专利]一种大电流高压硅堆清洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种大电流高压硅堆清洗工艺。

背景技术

    高压硅堆由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。由于高压整流是以阴极射线扫描的方式呈现图像的屏幕（包括老式电视机，电脑屏幕）中必不可少的部分。有很多厂家生产高压硅堆。电压从1KV~1000KV; 电流从1mA~100A不等。

    目前，在行业生产中，对于电流在350mA以上的高压硅堆称为大电流高压硅堆。对于大电流高压硅堆在生产的过程中，会有一道焊接工序，而在焊接工序后，在大电流高压硅堆表面长会附着有焊油、灰尘、水汽等杂质，如果直接将这样的高压硅堆作为成品使用，会对其耐久性、可靠性等性能造成影响，因此研究出一种大电流高压硅堆清洗工艺以去除其表面的杂质势在必行。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够很好的将高压硅堆表面的杂质清洗的大电流高压硅堆清洗工艺。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种大电流高压硅堆清洗工艺，其创新点在于：所述步骤为：

a）首先，利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的时间t₁=84s±1s；

b）将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗；

c）然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗；

d）将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理，喷淋的时间t₂=300s±5s；

e）将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗；

f）再将高压硅堆利用EDTA-2Na超声清洗，清洗的时间t₃=84s±1s；

g）将经过EDTA-2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗；

h）将高压硅堆进行丙酮脱水处理；

i）最后，利用热N₂将高压硅堆吹干。

进一步的，所述步骤b中溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t₄=300s±5s，二级溢水清洗的时间t₅=300s±5s。

进一步的，所述步骤c中KOH溶液清洗一共有两道工序，分别为第一级KOH溶液清洗及第二级KOH溶液清洗，其中第一级KOH溶液清洗的时间t₆=84s±1s，温度T₁=84℃±4℃，第二级KOH溶液清洗的时间t₇=84s±1s，温度T₂=84℃±4℃。

进一步的，所述步骤e中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t₈=300s±5s，二级溢水清洗的时间t₉=300s±5s。

进一步的，所述步骤g中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t₁₀=300s±5s，二级溢水清洗的时间t₁₁=300s±5s。

进一步的，所述一级溢水清洗与二级溢水清洗之间还增设有超声清洗工序，超声清洗的时间t₁₂=300s±5s。

进一步的，所述步骤h中的丙酮脱水处理一共有两道工序，分别为一级丙酮脱水处理及二级丙酮脱水处理，其中一级丙酮脱水处理的时间t₁₃=300s±5s，二级丙酮脱水处理的时间t₁₄=300s±5s。

本发明的优点在于：利用本工艺对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性。

具体实施方式

本发明的大电流高压硅堆清洗工艺包括以下几个步骤：

第一步，首先，利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的时间t₁=84s±1s。

第二步，将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗。

在本步骤中，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t₄=300s±5s，二级溢水清洗的时间t₅=300s±5s。

第三步，然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗。