[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底上形成有N型深阱；

N型深阱左部形成有一P阱，右部形成有左N阱、右N阱两个N阱，左N阱在右N阱左侧，左N阱同N型深阱之间无P阱；

所述P阱同左N阱之间有N型深阱间隔区；

所述左N阱同右N阱之间有N型深阱间隔区；

所述P阱，中部形成有沟道区场氧；

所述沟道区场氧左侧的P阱上形成有一重掺杂P型区，所述沟道区场氧右侧的P阱上形成有一重掺杂N型区；

所述左N阱及其两侧的N型深阱上形成有漂移区场氧；

所述右N阱上形成有一重掺杂N型区；

P阱上的所述重掺杂N型区到所述漂移区场氧之间的硅片上形成有栅氧化层；

多晶硅栅形成在所述栅氧化层上面及所述漂移区场氧左部上面，多晶硅栅同漂移区场氧之间无栅氧化层隔离；

所述P阱上的重掺杂P型区作为P阱引出端；

所述P阱上的重掺杂N型区、右N阱上的重掺杂N型区分别作为NLDMOS器件的源区、漏区引出端；

所述左N阱、右N阱的N型掺杂浓度，大于N型深阱的N型掺杂浓度，并且小于重掺杂N型区的N型掺杂浓度；

所述P阱的P型掺杂浓度，大于P型硅衬底的P型掺杂浓度，并且小于重掺杂P型区的P型掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，

所述左N阱、右N阱间的N型深阱间隔区最小宽度为1um到2um。

3.一种NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：

一、在P型衬底上通过N型离子注入形成N型深阱；

二、利用有源区光刻，打开场氧区域，刻蚀场氧区，生长场氧，在N型深阱上形成沟道区场氧、漂移区场氧，沟道区场氧位于漂移区场氧左侧；

三、光刻打开阱注入区域，在沟道区场氧下方及其左右两侧的N型深阱中注入P型杂质离子形成P阱，在漂移区场氧左部下方的N型深阱中注入N型杂质离子形成左N阱,在漂移区场氧右侧的N型深阱中注入N型杂质离子形成右N阱；左N阱同右N阱之间有N型深阱间隔区；

四、在硅片上，通过热氧化方法生长栅氧化层，淀积多晶硅；然后进行多晶硅栅刻蚀，形成多晶硅栅；

多晶硅栅的左部位于P阱右部上方，右部位于左N阱左部上方；

五、进行源漏离子注入，在沟道区场氧左右两侧的P阱上分别形成有一重掺杂P型区及一重掺杂N型区，在右N阱上形成有一重掺杂N型区；

六、通过接触孔工艺形成接触孔连接，通过接触孔和金属线引出电极，最后完成此NLDMOS器件的制作。

4.根据权利要求3所述的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

左N阱、右N阱间的N型深阱间隔区最小宽度为1um到2um。