[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术，特别涉及一种NLDMOS器件及其制造方法。

背景技术

LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)由于具有耐高压、大电流驱动能力、极低功耗以及可与CMOS集成等优点，目前在电源管理电路中被广泛采用。

现有一种40V隔离型NLDMOS(N型横向扩散金属氧化物半导体)器件，如图1所示，在P型硅衬底101上形成有N型深阱102，N型深阱102左部形成有P阱105，右部形成有N阱104；P阱105同N阱104之间有N型深阱102间隔区，P阱105右部、N阱104左部及P阱105同N阱104之间的N型深阱102间隔区上方形成有多晶硅栅107；多晶硅栅107同P阱105右部、P阱105同N阱104之间的N型深阱102间隔区左部之间由栅氧化层106隔离，多晶硅栅107同N阱104左部、P阱105同N阱104之间的N型深阱102间隔区右部之间由场氧103隔离；P阱105上形成有一重掺杂P型区109及一重掺杂N型区112，N阱104右部上形成有一重掺杂N型区108；P阱105上的重掺杂P型区109作为P阱105引出端，P阱105上的重掺杂N型区112、N阱104右部上的重掺杂N型区108分别作为NLDMOS器件的源区、漏区引出端。

图1所示的NLDMOS器件，N型深阱102和N阱104由于有时需要与其他器件共用，掺杂浓度不可改变，而N型深阱102较浓且较深，不易耗尽，击穿电压不易提高，只能通过改变器件尺寸与结构提高器件击穿电压。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提高能采用BCD工艺制造的NLDMOS器件的击穿电压。

为解决上述技术问题，本发明提供的NLDMOS器件，其结构是：在P型硅衬底上形成有N型深阱；

N型深阱左部形成有一P阱，右部形成有左N阱、右N阱两个N阱，左N阱在右N阱左侧；

所述P阱同左N阱之间有N型深阱间隔区；

所述左N阱同右N阱之间有N型深阱间隔区；

所述P阱，中部形成有沟道区场氧；

所述沟道区场氧左侧的P阱上形成有一重掺杂P型区，所述沟道区场氧右侧的P阱上形成有一重掺杂N型区；

所述左N阱及其两侧的N型深阱上形成有漂移区场氧；

所述右N阱上形成有一重掺杂N型区；

P阱上的所述重掺杂N型区到所述漂移区场氧之间的硅片上形成有栅氧化层；

多晶硅栅形成在所述栅氧化层上面及所述漂移区场氧左部上面；

所述P阱上的重掺杂P型区作为P阱引出端；

所述P阱上的重掺杂N型区、右N阱上的重掺杂N型区分别作为NLDMOS器件的源区、漏区引出端；

所述左N阱、右N阱的N型掺杂浓度，大于N型深阱的N型掺杂浓度，并且小于重掺杂N型区的N型掺杂浓度；

所述P阱的P型掺杂浓度，大于P型硅衬底的P型掺杂浓度，并且小于重掺杂P型区的P型掺杂浓度。

较佳的，所述左N阱、右N阱间的N型深阱间隔区最小宽度为1um到2um。

为解决上述技术问题，本发明提供的NLDMOS器件的制造方法，包括以下工艺步骤：

一、在P型衬底上通过N型离子注入形成N型深阱；

二、利用有源区光刻，打开场氧区域，刻蚀场氧区，生长场氧，在N型深阱上形成沟道区场氧、漂移区场氧，沟道区场氧位于漂移区场氧左侧；

三、光刻打开阱注入区域，在沟道区场氧下方及其左右两侧的N型深阱中注入P型杂质离子形成P阱，在漂移区场氧左部下方的N型深阱中注入N型杂质离子形成左N阱,在漂移区场氧右侧的N型深阱中注入N型杂质离子形成右N阱；左N阱同右N阱之间有N型深阱间隔区；

四、在硅片上，通过热氧化方法生长栅氧化层，淀积多晶硅；然后进行多晶硅栅刻蚀，形成多晶硅栅；

多晶硅栅的左部位于P阱右部上方，右部位于左N阱左部上方；

五、进行源漏离子注入，在沟道区场氧左右两侧的P阱上分别形成有一重掺杂P型区及一重掺杂N型区，在右N阱上形成有一重掺杂N型区；

六、通过接触孔工艺形成接触孔连接，通过接触孔和金属线引出电极，最后完成此NLDMOS器件的制作。