[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201410521267.5 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104517899B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 山下阳平;古田健次;淀良彰 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/683;B23K26/53 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
本发明提供晶片的加工方法。包括:保护部件粘贴工序,在晶片的正面上粘贴保护部件;背面磨削工序,对晶片的背面进行磨削而形成规定的厚度;改质层形成工序,从晶片的背面侧使对晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与分割预定线对应的内部并沿着分割预定线进行照射,在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层;晶片支撑工序,在晶片的背面安装具有绝缘功能的加强片,并在加强片侧粘贴切割带,利用环状框架支撑该切割带的外周部;加强片加热工序,通过对晶片进行加热并对安装在晶片的背面的加强片进行加热来使加强片固化;以及分割工序,对晶片施加外力,将晶片分割成一个个器件,并将加强片沿着一个个器件进行破断。
技术领域
本发明涉及一种将在正面呈格子状形成有多个分割预定线并在由该多个分割预定线划分的多个区域内形成有器件的晶片沿着分割预定线分割的晶片的加工方法。
背景技术
在半导体器件制造工序中,利用呈格子状排列在大致圆板形状的半导体晶片的正面上的分割预定线划分多个区域,在该划分出的区域内形成IC、LSI等的器件。通过将这样形成的半导体晶片沿着分割预定线进行切断,分割形成有器件的区域来制造一个个器件。
上述的半导体晶片的沿着分割预定线的切断通常使用被称为切割器的切削装置进行。该切削装置具有:卡盘工作台,其保持半导体晶片、光器件晶片等的被加工物;切削单元,其用于切削保持在该卡盘工作台上的被加工物;以及切削进给单元,其使卡盘工作台和切削单元相对移动。切削单元包括主轴单元,该主轴单元具有旋转主轴和对安装在该主轴上的切削刀片和旋转主轴进行旋转驱动的驱动机构。切削刀片由圆盘状的基座和安装在该基座的侧面外周部的环状切刃构成,切刃例如将粒径3μm左右的金刚石磨粒通过电铸固定在基座上并形成为厚度20μm左右。
但是,由于切削刀片具有20μm左右的厚度,因而作为划分器件的分割预定线,其宽度需要50μm左右,分割预定线对晶片面积所占的面积比率大,存在生产性不良的问题。
另一方面,近年来,作为分割半导体晶片等的晶片的方法,还尝试了被称为内部加工的激光加工方法:使用对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线,在应分割的区域的内部定位聚光点并照射脉冲激光光线。使用被称为该内部加工的激光加工方法的分割方法是这样的技术:从晶片的一个面侧使聚光点对准内部,照射对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改质层,沿着通过形成该改质层而使强度下降的分割预定线施加外力,将晶片进行破断并分割(例如,参照专利文献1)。
【专利文献1】日本专利第3408805号公报
然而,由于在晶片的正面层叠有构成器件的多个功能层,因而在使脉冲激光光线定位于晶片的内部来实施内部加工时,有必要从晶片的背面侧照射激光光线。
但是,在上下层叠器件来形成层叠半导体装置的晶片中,预先在晶片的背面安装了具有绝缘性的加强片,由于该加强片遮断激光光线,因而存在不可以从晶片的背面侧实施内部加工的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而作成的,本发明的主要技术课题是提供一种即使在晶片的背面粘贴有具有绝缘性的加强片的情况下、也可以实施内部加工的晶片的加工方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造