[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其具备：

具有第一面、和与所述第一面相反一侧的第二面的基板，

形成在所述基板的所述第一面上的半导体层，

形成在所述半导体层的第一区域上的第一透明电极，

形成在所述半导体层的所述第一区域以外的第二区域上、且包含金属原子的第二透明电极，

形成在所述第一透明电极上、且与所述第一透明电极的一部分电连接的第一电极，和

形成在所述基板的第二面上的第二电极，

所述第二透明电极与所述半导体层的接触电阻为1×10^-4Ω·cm²以下。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第二透明电极所包含的所述金属原子的浓度为1重量％～10重量％。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第二透明电极所包含的所述金属原子的浓度为1重量％～3重量％。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述金属原子为Ti、Au或Al。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第一和第二透明电极的厚度为0.1μm～10μm。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第二透明电极在俯视下的形状为：连续地包围所述第一电极的周围的形状、多个圆形相互分离配置的形状、或者多个多边形相互分离配置的形状。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第一透明电极与所述半导体层的接触电阻为1×10^-2Ω·cm²～5×10^-2Ω·cm²。

8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

在所述第一透明电极与所述半导体层之间、并且在俯视下与所述第一电极重叠的区域形成有绝缘膜。

9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述半导体层包含AlGaAs系材料、AlGaInAs系材料、AlGaInP系材料、AlGaInPAs系材料或AlGaInN系材料。

10.一种半导体发光元件的制造方法，其包括：

(a)在基板的第一面上形成半导体层的工序，

(b)在所述半导体层的第一区域上形成第一透明电极，在所述半导体层的所述第一区域以外的第二区域上形成第二透明电极的工序，

(c)在所述第一透明电极上形成与所述第一透明电极的一部分电连接的第一电极的工序，和

(d)在所述基板的与所述第一面相反一侧的第二面上形成第二电极的工序，

所述(b)工序包括：

(b1)在所述半导体层上形成第三透明电极的工序，

(b2)在所述第二区域的所述第三透明电极上形成金属膜的工序，

(b3)在所述(b2)工序之后进行热处理，使金属原子从所述金属膜向所述第二区域的所述第三透明电极扩散，在所述第二区域形成由包含所述金属原子的所述第三透明电极构成的所述第二透明电极，在所述第一区域形成由不包含所述金属原子的所述第三透明电极构成的所述第一透明电极的工序，

所述第二透明电极与所述半导体层的接触电阻为1×10^-4Ω·cm²以下。

11.如权利要求10所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

所述第二透明电极所包含的所述金属原子的浓度为1重量％～10重量％。

12.如权利要求10所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

所述第二透明电极所包含的所述金属原子的浓度为1重量％～3重量％。