[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

说明书

提供发光效率高且元件电阻低的半导体发光元件及其制造方法。由第一透明电极(TE1)和包含10重量％以下浓度金属原子的第二透明电极(TE2)构成透明电极(TE)。在俯视下与p侧焊盘电极pED重叠的区域设置第一透明电极(TE1)，在俯视下与p侧焊盘电极pED重叠的区域以外的区域设置第二透明电极(TE2)。第二透明电极(TE2)与p型接触层pCN的接触电阻低于第一透明电极(TE1)与p型接触层pCN的接触电阻，因此由p侧焊盘电极pED注入的电流向第二透明电极(TE2)扩散，从而高效地向在俯视下与p侧焊盘电极pED重叠的区域以外的区域的有源层AC注入，因此发光效率提高。另外第二透明电极(TE2)与p型接触层pCN的接触电阻低因此元件电阻降低。

技术领域

本发明涉及半导体发光元件及其制造技术，例如可以优选用于具有透明电极的半导体发光元件及其制造。

背景技术

例如日本特开2008-10546号公报(专利文献1)中记载了一种半导体发光元件，其依次层叠有：半导体基板、发光层形成部、构成光提取面的窗口层、第一透光性层和具有导电性的第二透光性层。该半导体发光元件中，第一透光性层作为阻止第二透光性层的构成原子向窗口层侧扩散的防扩散膜发挥功能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-10546号公报

发明内容

发明要解决的课题

作为光电耦合器用光源，使用具有透明电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具有例如在n型基板的第一面上依次层叠有半导体层和透明电极的结构，并设置有在透明电极上与透明电极的一部分电连接的p侧焊盘电极(パッド電極)、以及与和n型基板的第一面的相反一侧的第二面电连接的n侧电极。上述半导体层例如由从n型基板侧开始依次层叠的n型包覆层、有源层、p型包覆层和p型接触层构成。但是，由p侧焊盘电极正下方的半导体层发出的光被p侧焊盘电极隔断，无法向半导体发光元件的外部充分提取出，具有无法得到高发光效率的课题。

其他课题和新特征从本说明书的记载和附图可知。

解决课题的手段

一个实施方式的半导体发光元件具备：基板形成在基板的第一面上的半导体层、形成在半导体层的第一区域上的第一透明电极、形成在半导体层的第一区域以外的第二区域上的第二透明电极、形成在第一透明电极上且与第一透明电极的一部分电连接的第一电极、和形成在基板的第二面上的第二电极。第二透明电极包含浓度为10重量％以下的金属原子。第二透明电极与半导体层的接触电阻为1×10^-4Ω·cm²以下。

发明效果

根据一个实施方式，能够提供发光效率高、并且元件电阻低的半导体发光元件。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的半导体发光元件的要部俯视图。

图2是实施方式1所涉及的半导体发光元件的要部截面图(沿图1的A-A′线所得的半导体发光元件的要部截面图)。

图3是实施方式1所涉及的制造工序中的半导体发光元件的要部截面图。

图4是与图3接续的、制造工序中的与图3相同部位的半导体发光元件的要部截面图。

图5是图4接续的、制造工序中的与图3相同部位的半导体发光元件的要部截面图。

图6是与图5接续的、制造工序中的与图3相同部位的半导体发光元件的要部截面图。

图7的(a)、(b)、(c)、和(d)是分别说明第二透明电极在俯视下的形状的要部俯视图。

图8是实施方式1的变形例所涉及的半导体发光元件的要部截面图。