[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管，所述晶体管包括：

源极区域；

漏极区域；

沟道区域；

漂移区；

栅极电极；以及

邻近于所述栅极电极的栅极电介质，

其中所述栅极电极被设置为邻近于所述沟道区域的至少两侧，所述沟道区域和所述漂移区沿着平行于所述主表面的第一方向被设置在所述源极区域与所述漏极区域之间，并且所述栅极电介质具有在所述栅极电极的不同位置处变化的厚度，所述厚度在所述栅极电极与邻近的半导体材料之间在水平方向上被测量，其中所述栅极电介质的所述厚度在所述栅极电极的邻近于所述漂移区的部分处比在邻近于所述沟道区域的部分处大，其中所述栅极电极不延伸至较厚的所述栅极电介质的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极电介质的所述厚度在所述栅极电极的底侧处比在邻近于所述沟道区域的部分处厚。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中从所述栅极电极的底侧相对于所述半导体衬底的所述主表面垂直测量的所述栅极电介质的所述厚度大于在邻近于所述沟道区域的部分处的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极电极被设置在形成在所述半导体衬底的所述主表面中的栅极沟槽中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区域具有在所述第一方向上延伸的脊的形状。

6.一种半导体器件，所述半导体器件包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管，所述晶体管包括：

源极区域；

漏极区域；

沟道区域；

漂移区；

栅极电极；以及

邻近于所述栅极电极的栅极电介质，

其中所述栅极电极和所述栅极电介质被设置在栅极沟槽中，所述栅极沟槽被设置为邻近于所述沟道区域的两侧，所述沟道区域和所述漂移区沿着第一方向被设置在所述源极区域与所述漏极区域之间，所述第一方向平行于所述主表面延伸，并且所述栅极电介质具有在所述栅极电极的不同位置处变化的厚度，所述厚度在所述栅极电极与邻近的半导体材料之间被水平地测量，所述晶体管进一步包括在所述漂移区处的场板，其中所述场板与所述栅极电极绝缘。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述栅极电介质的所述厚度在所述栅极电极的邻近于所述漂移区的部分处比在邻近于所述沟道区域的部分处厚。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述场板和场电介质被设置在场板沟槽中，所述栅极沟槽和所述场板沟槽彼此分离。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中从所述栅极电极的底侧相对于所述半导体衬底的所述主表面垂直测量的所述栅极电介质的所述厚度大于在邻近于所述沟道区域的部分处的厚度。

10.一种制造半导体器件的方法，包括在具有主表面的半导体衬底中形成晶体管，其中形成所述晶体管包括：

形成源极区域；

形成漏极区域；

形成沟道区域；

形成漂移区；

形成邻近于所述沟道区域的栅极电极；以及

形成邻近于所述栅极电极的栅极电介质，所述栅极电极被设置邻为近于所述沟道区域的至少两侧，所述沟道区域和所述漂移区沿着平行于所述主表面的第一方向被设置在所述源极区域与所述漏极区域之间，

其中所述栅极电介质被形成以便具有在所述栅极电极的不同位置处变化的厚度，所述厚度在所述栅极电极与邻近的半导体材料之间被水平地测量，以及

其中所述栅极电介质的所述厚度被形成为在所述栅极电极的邻近于所述漂移区的部分处比在邻近于所述沟道区域的部分处大，其中所述栅极电极不延伸至较厚的所述栅极电介质的部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述栅极电极包括在所述半导体衬底的所述主表面中形成栅极沟槽。