[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法

说明书

本发明公开了一种集成电路及制造集成电路的方法，该集成电路包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管。晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区、栅极电极以及邻近于栅极电极的栅极电介质。栅极电极被设置为邻近于沟道区域的至少两侧。沟道区域和漂移区沿着平行于主表面的第一方向被设置在源极区域与漏极区域之间。栅极电介质具有在栅极电极的不同位置处变化的厚度。

技术领域

本公开涉及半导体领域，并且更特别地涉及一种集成电路及制造集成电路的方法

背景技术

通常在汽车和工业电子中采用的功率晶体管在确保高电压阻断能力的同时要求低的导通电阻(Ron)。例如，取决于应用的要求，MOS(“金属氧化物半导体”)功率晶体管应当有能力阻断数十到数百或数千伏的漏源电压Vds。MOS功率晶体管通常传导非常大的电流，其在约2V到20V的典型栅源电压下可以高达数百安培。

其中电流流动主要平行于半导体衬底的主表面发生的横向功率器件可用于诸如开关、桥接器和控制电路之类的其它部件被集成于其中的集成电路。

例如，功率晶体管可以用于DC/DC或AC/DC转换器中，以便使用电感器来开关电流。在这些转换器中采用从100kHz到高达几MHz的范围内的频率。为了减小开关损耗，正在做出尝试以最小化功率晶体管中的电容。由此，可以加速开关操作。

发明内容

根据实施例，集成电路包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管。晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区、栅极电极以及邻近于栅极电极的栅极电介质。栅极电极被设置为邻近于沟道区域的至少两侧，沟道区域和漂移区沿着平行于主表面的第一方向被设置在源极区域与漏极区域之间。栅极电介质具有在栅极电极的不同位置处变化的厚度。

根据又一实施例，集成电路包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管。晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区、栅极电极以及邻近于栅极电极的栅极电介质。栅极电极和栅极电介质被设置在栅极沟槽中，栅极沟槽被设置为邻近于沟道区域的两侧。沟道区域和漂移区沿着第一方向被设置在源极区域与漏极区域之间，第一方向平行于主表面延伸。栅极电介质具有在栅极电极的不同位置处变化的厚度。

根据实施例，制造半导体器件的方法包括在具有主表面的半导体衬底中形成晶体管。形成晶体管包括形成源极区域、形成漏极区域、形成沟道区域、形成漂移区、形成邻近于沟道区域的栅极电极以及形成邻近于栅极电极的栅极电介质。栅极电极被设置为邻近于沟道区域的至少两侧，沟道区域和漂移区沿着平行于主表面的第一方向被设置在源极区域与漏极区域之间。栅极电介质被形成以便具有在栅极电极的不同位置处变化的厚度。

通过阅读以下详细说明和查看附图，本领域技术人员会意识到另外的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且被并入且构成该说明书的一部分。附图图示了主要的实施例，并且与描述一起用于解释原理。其它实施例和许多预期优点将更容易领会，因为通过参照以下详细描述它们变得更好理解。附图的元件相对于彼此未必是按比例的。同样的参考数字制定对应的相似部分。

图1A示出了根据实施例在平行于半导体衬底的主表面的平面中截取的集成电路的截面图；

图1B示出了在图1A中示出的集成电路的又一截面图；

图1C和图1D示出了在图1A和图1B中图示的集成电路的元件的截面图；

图2示出了在图1中图示的集成电路的部件；

图3A至图3D示出了在图1A至图1D中图示的集成电路的栅极沟槽的截面图；

图4A示出了在执行根据实施例的方法时的半导体衬底的截面图；