[发明专利]一种固态盘闪存芯片阈值电压感知方法及系统

权利要求书

1.一种固态盘闪存芯片阈值电压感知方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)数据输入步骤，包括如下子步骤：

(1.1)当原始数据R被写入闪存芯片时，根据低密度奇偶校验码LDPC生成矩阵G对原始数据R进行编码，生成码字C；

(1.2)将生成的码字C写入闪存芯片中；

(2)数据输出步骤，包括如下子步骤：

(2.1)计算出阈值电压交叉区域的左分界线和右分界线然后求得两分界线之间的距离为其中i＝0，1，2；

(2.2)对闪存芯片的阈值电压进行非均匀感知：

(2.2.1)根据要求精度确定每个阈值电压交叉区域内感知次数n；

(2.2.2)根据感知次数n确定每个阈值电压交叉区域的左、右半区域的感知次数

(2.2.3)根据每个阈值电压交叉区域的左、右半区域的感知次数m计算左、右半区域中需要感知电压的位置；

(2.2.4)根据得到的感知电压位置读取阈值电压；

(2.3)根据非均匀感知的阈值电压计算对数似然比LLR；

(2.4)根据LLR及LDPC校验矩阵Q对步骤(1)中写入闪存芯片的码字C进行解码纠错。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2.2.3)中根据每个阈值电压交叉区域的左、右半区域的感知次数m计算左、右半区域中需要感知电压的位置具体包括：

使用公比为q的等比数列获取需要感知的阈值电压，其中q＞1，对于阈值电压交叉区域的左半部分需要感知的次数为m，则选取的感知点距离左边界线的相对距离分别为1、q、q²...q^m-1，记W＝1+q+...+q^m-1，则选取的感知电压位置距离左分界线的绝对距离分别为其中S_i表示每个阈值电压交叉区域的距离，i＝0，1，2。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中具体根据下式生成码字C：

C＝R×G①。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2.1)中计算出阈值电压交叉区域的左分界线和右分界线具体为：

P⁽ⁱ⁾(x)是第i个阈值电压高斯概率密度函数，M是一比值，根据阈值电压交叉区域大小确定；将阈值电压高斯概率密度函数代入上式中得到

根据已知的第i个阈值电压高斯概率密度函数的均值μ_i和方差和比值M，通过解上面的公式③和④，求出各个阈值电压交叉区域的左分界线和右分界线

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2.3)中根据非均匀感知的阈值电压计算第i位的LLR具体为：

其中V_i表示感知电压值，A_i表示感知电压所在的区域范围值。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2.4)具体包括：

(2.4.1)、将步骤(2.3)得到的LLR信息输入到校验矩阵Q中的变量节点中，作为LDPC解码的初始信息；

(2.4.2)、校验矩阵Q中每个变量节点与校验节点相互之间进行迭代处理译码信息，只在变量节点与校验节点在校验矩阵Q中互为连接关系的节点间传输；

(2.4.3)、如果解码得到的LDPC译码向量C'与输入的码字C相等或者达到了最大的迭代次数时LDPC译码过程结束。