[发明专利]一种固态盘闪存芯片阈值电压感知方法及系统

说明书

技术领域

本发明属于固态盘闪存芯片纠错技术领域，更具体地，涉及一种固态盘闪存芯片阈值电压感知方法及系统。

背景技术

随着各类移动设备在人们日常生活中的普遍应用，作为非易失性存储器种类之一的闪存芯片(Not And，NAND Flash memory)，越来越发挥着重要的作用。由于NAND Flash memory的物理结构特点，容易发生错误，如何保证数据的可靠性，成为NAND Flash memory应用能否成功的关键技术之一。因此，采用纠错码的可靠性保证技术成为NAND Flash memory应用中的关键一环，得到了广泛的应用和研究。

目前NAND Flash memory的架构已经从单层单元闪存芯片(Single Layer Cell，SLC)发展到多层单元闪存芯片(Multi-Level Cell，MLC)，NAND Flash的制造工艺发展到25纳米甚至是20纳米的水平，这意味着NAND Flash memory中发生错误的几率越来越大，因此，NAND Flash memory设备中需要使用更强纠错能力的纠错算法。

在现有的纠错码技术中，低密度奇偶校验码(Low-Density Parity-Check code，LDPC)具有强大的纠错能力，数据写入NAND Flash memory时利用LDPC码进行编码生成由原始信息和校验信息组成的码字，然后在数据读取时再次利用LDPC码进行解码纠错，以达到降低NAND Flash memory的位错误率(Bit Error Rate，BER)的目的。

LDPC码纠错需要精确的对数似然比(Log-likelihood Rate，LLR)信息，而对数似然比信息取决于NAND Flash memory闪存芯片单元cell的阈值电压感知精度。

在MLC NAND Flash memory中，一个闪存芯片单元cell存储2bits，它具有四种存储状态00、01、10、11，可以使用2²＝4个阈值电压窗口来表示，每一个阈值电压窗口代表一种存储状态。

理想情况下，MLC NAND Flash memory会有4种互不交叉的阈值电压窗口，如图1所示，4个阈值电压窗口之间具有一定的距离，能够根据阈值电压值识别出正确的存储值。但是由于闪存芯片中噪声的干扰，4种阈值电压窗口会互相交叉，从而出现3个交叉阈值电压窗口的情形，如图2所示，4种阈值电压窗口出现相互交叉现象，这样在交叉阈值电压窗口内感知阈值电压时就不能正确区分出对应的存储状态，出现错误。

发明内容

本发明的目的是精确获取MLC NAND Flash memory闪存芯片单元内的阈值电压值，从而得到所需的对数似然比值作为LDPC码解码纠错的初始信息，进行LDPC解码纠错，提高NAND Flash memory的可靠性。

为了实现上述目的，本发明构建了一种在交叉阈值电压窗口内非均匀阈值电压感知优化方法，减少了传统的交叉阈值电压窗口内均匀阈值电压感知次数，将获得的阈值电压作为MLC NAND Flash memory中LDPC译码模块的输入。构建的非均匀感知策略主要在交叉阈值电压区域内进行非均匀的阈值电压感知而在交叉区域外不做任何感知。

按照本发明的一个方面，提供了一种固态盘内部闪存芯片阈值电压感知方法，包括如下步骤：

(1)数据输入步骤，包括如下子步骤：

(1.1)当原始数据R被写入闪存芯片时，根据低密度奇偶校验码LDPC生成矩阵G对原始数据R进行编码，生成码字C；

(1.2)将生成的码字C写入闪存芯片中；

(2)数据输出步骤，包括如下子步骤：

(2.1)计算出交叉区域的左分界线和右分界线然后求得两分界线之间的距离为其中i＝0，1，2；

(2.2)对闪存芯片的阈值电压进行非均匀感知：

(2.2.1)根据要求精度确定每个阈值电压交叉区域内感知次数n；

(2.2.2)根据感知次数n确定每个阈值电压交叉区域的左、右半区域的感知次数

(2.2.3)根据每个阈值电压交叉区域的左、右半区域的感知次数m计算左、右半区域中需要感知电压的位置；

(2.2.4)根据得到的感知电压位置读取阈值电压；

(2.3)根据非均匀感知的阈值电压计算对数似然比LLR；

(2.4)根据LLR及LDPC校验矩阵Q对步骤(1)中写入闪存芯片的码字C进行解码纠错。