[发明专利]电子部件、装置及方法有效
申请号: | 201410522858.4 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104517868B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;K·希斯;X·施勒格尔;J·施雷德尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/498;H01L25/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 装置 方法 | ||
1.一种电子部件,包括:
至少一个半导体器件;以及
重新分布板,包括至少两个非传导层和传导的重新分布结构,
其中,所述半导体器件嵌入在所述重新分布板中,并且电耦合到所述传导的重新分布结构,并且所述重新分布板具有侧面,所述侧面在与所述至少两个非传导层平行的方向上背离所述半导体器件、并且在所述方向上与所述半导体器件分隔开,其中所述侧面具有台阶,并且
其中所述传导的重新分布结构的外接触垫被布置在所述台阶上。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述台阶延伸所述侧面的长度。
3.根据权利要求1所述的电子部件,还包括:
第一非传导层和第二非传导层,所述第一非传导层从所述第二非传导层的侧面伸出并且提供所述台阶。
4.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述台阶包括踏面和升起,并且所述外接触垫被布置在所述踏面上。
5.根据权利要求1所述的电子部件,还包括在所述重新分布板的第二侧面中的附加台阶。
6.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述传导的重新分布结构包括从至少一个内接触垫到所述外接触垫的散开分布。
7.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述传导的重新分布结构包括至少一个通孔,所述通孔延伸通过至少一个非传导层的厚度。
8.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述半导体器件为晶体管器件。
9.根据权利要求1所述的电子部件,还包括用于电流感测的附加重新分布结构。
10.根据权利要求9所述的电子部件,其中所述附加重新分布结构包括至少一个导电通孔,所述导电通孔包括电阻率大于所述传导的重新分布结构的传导迹线的电阻率的材料。
11.根据权利要求1所述的电子部件,还包括:
第一半导体器件,包括第一晶体管;和
第二半导体器件,包括第二晶体管,所述第二晶体管被配置成与所述第一晶体管呈半桥配置和级联配置中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述半导体器件为封包半导体器件,并且所述封包半导体器件被安装在所述重新分布板中的腔中。
13.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述半导体器件被布置在多个非传导层中。
14.根据权利要求1所述的电子部件,还包括呈堆叠配置的至少两个半导体芯片。
15.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述半导体器件的主表面被布置在第一平面中,并且被电耦合到被布置在两个非传导层之间的界面中的传导迹线,所述界面为不同于所述第一平面的第二平面。
16.一种电子装置,包括:
电路板,包括多个非传导层、重新分布结构和至少一个腔,所述至少一个腔包括台阶,所述台阶包括被电耦合到所述重新分布结构的接触垫;和
电子部件,包括重新分布板以及嵌入在所述重新分布板中的至少一个半导体器件,所述重新分布板具有带台阶和布置在所述台阶上的外接触垫的侧面,
其中所述电子部件被安装在所述腔中,并且所述电子部件的外接触垫被安装在所述电路板的接触垫上。
17.根据权利要求16所述的装置,其中所述电子部件的外接触垫通过焊剂和导电粘合剂中的一个电耦合到所述电路板的接触垫。
18.根据权利要求16所述的装置,其中所述电路板包括在无重叠的方向上从所述电子部件延伸的高压传导迹线和低压传导迹线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造