[发明专利]电子部件、装置及方法

说明书

背景技术

半导体芯片可以以电子部件的形式提供，其包括具有用于将该电子部件安装在电路板(诸如印刷电路板)上的外接触部的封包。封包可以包括环氧树脂和从半导体芯片到外接触部内部部分的内部电连接，环氧树脂覆盖半导体芯片，保护它从环境隔离。封包的外接触部可以具有各种形式，诸如插脚、焊盘或焊球。

发明内容

电子部件包括至少一个半导体器件和重新分布板，重新分布板包括至少两个非传导层和传导重新分布结构。半导体器件嵌入重新分布板中，并且电耦合到重新分布结构，并且该重新分布板的侧面具有台阶。重新分布结构的外接触垫被布置在该台阶上。

装置包括电路板，其具有多个非传导层、重新分布结构和至少一个包括台阶的腔，该台阶包括接触垫，其耦合到重新分布结构和电子器件，该电子器件包括在重新分布板中嵌入的至少一个半导体器件，该重新分布板的侧面具有台阶和布置在台阶上的外接触垫。该电子器件被安装在腔中，并且电子部件的外接触垫被安装在电路板的接触垫上。

一种方法，包括提供电子部件，其包括嵌入重新分布板中的至少一个半导体器件，该重新分布板包括至少两个非传导芯层和至少一个传导层，该方法还包括去除芯层的周边部分和暴露出在另一芯层上的传导层的一部分，以及为该电子器件形成外接触垫。

本领域技术人员在阅读下列详细说明、并且查看附图时，将认识到额外的特点和优点。

附图说明

图的要素不必相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记指定相应的类似部件。各种说明的实施例的特征能够结合，除非其彼此排斥。实施例在附图中描述并且在下列描述中详述。

图1示出根据第一实施例的电子部件。

图2示出电子部件和包括腔的电路板。

图3示出根据第二实施例的电子部件和包括腔的电路板。

图4示出根据第三实施例的电子部件。

图5示出包括两个电子部件的布置。

图6示出根据第四实施例的电子部件。

图7示出根据第五实施例的电子部件。

图8示出一部分电路板的透视图。

图9示出包括传导迹线的一部分电路板的透视图。

图10示出包括传导迹线的一部分电路板的透视图。

图11示出根据第六实施例的方法的流程图。

图12示出根据第七实施例的方法的流程图。

具体实施方式

在下面详细说明中，参考附图，其形成本发明的和部分，并且在附图中通过说明示出可以实践本发明的具体实施例。在这点上，方向术语，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“头”、“尾”、“上”、“下”等，参考描述的图形的定向来使用。因为实施例的部件能够以许多不同取向放置，所以使用方向术语是为了说明而非限制。应当理解，可以利用其他实施例，并且可以做出结构或逻辑变化，而不偏离本发明的保护范围。不应以限制的意义理解本发明的下列详细说明，本发明的保护范围由权利要求限定。

下面将解释许多实施例。在这个情形中，一致构造特征通过图中一致或类似的附图标记识别。在本描述的上下文中，“横向”或“横向方向”应该被理解为方向或范围，其通常平行于半导体材料或半导体载体的横向延伸。因此，横向方向通常平行于这些表面或侧面平行。与此相反，术语“竖直”或“竖直方向”被理解为意思是通常垂直于这些表面或侧面延伸，因而通常垂直于横向。因此，竖直方向在半导体材料或半导体载体的厚度方向延伸。

如本说明书中所采用的，术语“耦合”和/或“电耦合”不是意味着元件必须直接耦合在一起——可以在“耦合”或“电耦合”元件之间提供居间元件。

如本文中所使用的，“高压”和“高压器件”，诸如高压耗尽型晶体管，其为被优化用于高压开关应用的电子器件。也就是说，当晶体管断开时，其能够阻塞高压，诸如大约300V或更高，大约600V或更高，或大约1200V或更高，并且当晶体管接通时，其具有足够低的导通电阻(RON)用于使用其的应用，也就是说，当实质上的电流穿过该器件时，其经历足够低的传导损失。高压器件至少能够阻挡等于高压电源的电压或使用其的电路中的最大电压。高压器件能够阻挡300V、600V、1200V，或者该应用所需要的其他适合的阻挡电压。