[发明专利]芯片线圈组件在审
申请号: | 201410524361.6 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN105304265A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 李正喆 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F37/00;H01F27/28 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 孙向民;肖冰滨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 线圈 组件 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年6月19日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2014-0074860的优先权,其所公开的内容并入本专利申请作为参考。
技术领域
本发明涉及一种芯片线圈组件。
背景技术
作为多层芯片组件的一种,电感器是一种典型的无源元件,它与电阻器和电容器一起形成用于消除噪音的电子电路,或者被用作形成LC谐振电路(resonancecircuit)的组件。
与此同时,多层电感器的应用正逐步发展。有一种多层电感器具有一结构,其中多个磁性层或电介质层被堆叠,在所述多个磁性层或电介质层上形成有内部线圈图案部件,且所述内部线圈图案部件相互连接形成线圈结构,从而实现电感值、阻抗值等的目标水平。
当多层电感器中的内部线圈的线圈匝数(turn)被增加以产生高水平电感时,直流(DC)电阻也会增加,从而降低了质量因子(Q特性)。
相应地,为了降低这种多层电感器的直流(DC)电阻,采用了一种平行结构,其中连接至外部电极的内部线圈图案部件间的层间连接被平行执行,且具有相同形状的内部线圈图案以成对的方式重复形成。
但是,当这种平行结构被使用时,不可避免地会增加很多层间连接,以至于在最终的产品的电感和Q因子都会降低。
[相关技术文件]
(专利文件1)日本专利公报No.2001-358016
发明内容
本公开的示例性实施方式可以提供一种能够提高电感和质量因子(Q值)的芯片线圈组件。
根据本公开的一种示例性实施方式,芯片线圈组件可以包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括多个第一至第四绝缘层;以及,内部线圈,该内部线圈包括第一内部图案部件和第二内部图案部件,所述第一内部图案部件具有多个第一绝缘层,第一图案部分置于所述多个第一绝缘层上,所述第二内部图案部件具有多个第二绝缘层,第二图案部分置于所述多个第二绝缘层上,其中置于多个第一绝缘层上的所述第一图案部分彼此对应地布置,并通过两个各具有一个通孔电极的第一连接端子彼此连接,以及置于多个第二绝缘层上的第二图案部分彼此对应地布置,并通过两个各具有一个通孔电极的第二连接端子彼此连接。
根据本公开的一种示例性实施方式,芯片线圈组件可以包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括多个绝缘层,且具有供作安装表面的底面;以及置于陶瓷本体内的多个内部图案部件,且多个内部图案部件有N个相接的内部线圈图案部分,其中N是2的倍数,且大于或等于4,这N个内部线圈图案部分中的从最靠近所述陶瓷本体底面的内部线圈图案部分起,第n个内部线圈图案部分和第n-1个内部线圈图案部分互相平行且彼此连接,其中n≤N,n=2a,且a为自然数;并且,第n个内部线圈图案部分和第n-1个内部线圈图案部分通过两个具有一个通孔电极的连接端子彼此连接。
根据本公开的一种示例性实施方式,芯片线圈组件可以包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括多个第一至第四绝缘层,且具有供作安装表面的底面;以及,内部线圈,该内部线圈包括第一内部图案部件和第二内部图案部件,所述第一内部图案部件具有多个第一绝缘层,第一图案部分置于所述多个第一绝缘层上,所述第二内部图案部件具有多个第二绝缘层,第二图案部分置于多个第二绝缘层上,其中置于多个第一绝缘层上的所述第一图案部分彼此对应地布置,且通过两个各具有一个通孔电极的第一连接端子相互连接,置于多个第二绝缘层上的第二图案部分彼此对应地布置,且通过两个各具有一个通孔电极的第二连接端子相互连接,并且,所述内部线圈被布置成相对于所述陶瓷本体的底面是垂直的。
附图说明
通过以下结合附图的详细说明,将更清楚地理解本发明的以上和其它方面、特征和其它优点,其中:
图1是根据本公开的一种示例性实施方式的具有内部线圈的芯片线圈组件的透视图;
图2是具有第一外部电极和第二外部电极的图1的芯片线圈组件的透视图;
图3是图2的沿线I-I’截取的截面剖视图;
图4是根据本公开的示例性实施方式的芯片线圈组件的分解透视图;
图5A是将根据本公开的示例性实施方式的芯片线圈组件的电感与根据现有技术的电感器的电感相比较而获得的结果的示意图;
图5B是将根据本公开的示例性实施方式的芯片线圈组件的Q因子与根据现有技术的电感器的Q因子相比较而获得的结果的示意图;
图5C是将根据本公开的示例性实施方式的芯片线圈组件的电阻开关(resistiveswitching,Rs)特性与根据现有技术的电感器的电阻开关特性Rs相比较而获得的结果的示意图;
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