[发明专利]具有单层浮栅的非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

漏极台面，其从衬底的表面突出；

第一源极和第二源极，其被设置在所述衬底中并且与所述漏极台面间隔开，所述第一源极与所述漏极台面的第一侧壁表面相邻，并且所述第二源极与所述漏极台面的第二侧壁表面相邻，所述第二侧壁表面与所述第一侧壁表面相对；

第一浮栅，其与所述漏极台面的所述第一侧壁表面重叠并且延伸至所述第一源极；以及

第二浮栅，其与所述漏极台面的所述第二侧壁表面重叠并且延伸至所述第二源极，

其中，所述漏极台面包括第一杂质区，所述第一杂质区从所述漏极台面的所述第一侧壁表面延伸经过顶表面至所述第二侧壁表面；以及

其中，所述第一源极和所述第二源极中的每个包括被设置在所述衬底中的第二杂质区。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一浮栅和所述第二浮栅在所述漏极台面的顶表面之上延伸。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，还包括：

公共漏极电极，其在所述第一浮栅和所述第二浮栅之间与所述漏极台面的顶表面耦接；以及

第一源极电极和第二源极电极，其分别与所述第一源极和所述第二源极耦接。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述第一浮栅和所述第二浮栅相对于所述漏极台面对称地配置；以及

其中，所述第一源极和所述第二源极相对于所述漏极台面对称地设置。

5.一种非易失性存储器件，包括：

多个双单元，其被排列成行和列并且被设置在衬底之上，其中，所述双单元中的每个包括：

第一源极和第二源极，其被设置在所述衬底中；

漏极台面，其在所述第一源极和所述第二源极之间从所述衬底的表面突出；

第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅与所述漏极台面的第一侧壁表面重叠并且延伸至与所述漏极台面的所述第一侧壁表面相邻的所述第一源极，所述第二浮栅与所述漏极台面的第二侧壁表面重叠并且延伸至与所述漏极台面的所述第二侧壁表面相邻的所述第二源极；

第一源极线，其被设置成平行于所述列，所述第一源极线中的每个与沿着相应的列布置的所述双单元的所述第一源极耦接；

第二源极线，其被设置成平行于所述列，所述第二源极线中的每个与沿着相应的列布置的所述双单元的所述第二源极耦接；

第一位线，其被设置成平行于所述行，所述第一位线中的每个与布置在相应的行中的奇数编号的双单元的所述漏极台面耦接；以及

第二位线，其被设置成平行于所述行，所述第二位线中的每个与布置在相应的行中的偶数编号的双单元的所述漏极台面耦接。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，布置在指定行中的两个相邻的双单元共享所述两个相邻的双单元中的一个的所述第一源极或者所述两个相邻的双单元中的另一个的所述第二源极。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，共享所述第一源极或所述第二源极并且被布置在指定行中的所述两个相邻的双单元分别与所述第一位线中的一个和所述第二位线中的一个耦接。

8.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述多个双单元共享被设置在所述衬底中的阱区。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件，还包括隔离层，其形成在所述行之间的衬底中，以将排列在第一行中的所述双单元与排列在与所述第一行相邻的第二行中的所述双单元隔离。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述隔离层将所述阱区分成多个部分，

其中，所述多个部分被设置在相应的行中。

11.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述第一浮栅和所述第二浮栅在所述漏极台面的顶表面之上延伸。