[发明专利]图像感测器结构有效
申请号: | 201410525347.8 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN105321963B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 陈劲甫 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 石海霞;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像感测器 中心区域 周边区域 感测区 突起物 基板 逐渐变小 接合垫 像素 干扰效应 公开文件 显示画面 最大距离 条纹 包围 申请 | ||
1.一种图像感测器结构,包括:
一基板,包括一中心区域与一周边区域;
一感测区,包括多个像素,位于所述基板的所述中心区域;
多个接合垫,设置于所述基板的所述周边区域;以及
多个突起物,设置于所述接合垫与所述感测区之间,并包围所述感测区,其中以一上视图观之,所述突起物相对应的任意两点之间的一最大距离由所述周边区域至所述中心区域逐渐变小。
2.如权利要求1所述的图像感测器结构,其中所述突起物包括光致抗蚀剂,形成多个回路。
3.如权利要求2所述的图像感测器结构,其中邻近所述接合垫的所述回路的所述突起物的任意两点之间的一第一最大距离小于所述接合垫朝所述感测区的一侧的一长度,其中所述接合垫朝所述感测区的所述一侧的所述长度介于40μm至300μm。
4.如权利要求2所述的图像感测器结构,其中邻近所述感测区的所述回路的所述突起物的任意两点之间的一第二最大距离小于所述像素的一宽度,其中所述像素的所述宽度介于0.9μm至60μm。
5.如权利要求2所述的图像感测器结构,其中所述突起物以一上视图观之,具有一梯形平面,其具有一第一侧与一第二侧,所述第二侧小于所述第一侧。
6.如权利要求5所述的图像感测器结构,其中所述梯形的所述第一侧面朝所述接合垫朝所述感测区的一侧,其中于同一回路中,两相邻梯形的中心点之间的一距离小于所述梯形的所述第一侧,且两相邻梯形的中心点之间的一距离大于所述梯形的所述第二侧。
7.如权利要求2所述的图像感测器结构,其中所述突起物以一上视图观之,具有一菱形平面,其具有一对角线。
8.如权利要求7所述的图像感测器结构,其中于同一回路中,两相邻菱形的中心点之间的一距离小于所述接合垫朝所述感测区的一侧的一长度与所述菱形的所述对角线的一总合长度,且两相邻菱形的中心点之间的一距离大于所述菱形的所述对角线。
9.如权利要求2所述的图像感测器结构,其中所述突起物以一上视图观之,具有一圆形平面,其具有一直径。
10.如权利要求9所述的图像感测器结构,其中于同一回路中,两相邻圆形的中心点之间的一距离小于所述接合垫朝所述感测区的一侧的一长度与所述圆形的所述直径的一总合长度,且两相邻圆形的中心点之间的一距离大于所述圆形的所述直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的