[发明专利]图像感测器结构有效
申请号: | 201410525347.8 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN105321963B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 陈劲甫 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 石海霞;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像感测器 中心区域 周边区域 感测区 突起物 基板 逐渐变小 接合垫 像素 干扰效应 公开文件 显示画面 最大距离 条纹 包围 申请 | ||
本公开文件提供一种图像感测器结构。该图像感测器结构包括:一基板,包括一中心区域与一周边区域;一感测区,包括多个像素,位于所述基板的所述中心区域;多个接合垫,设置于所述基板的所述周边区域;以及多个突起物,设置于所述接合垫与所述感测区之间,并包围所述感测区,其中以一上视图观之,所述突起物的任意两点之间的一最大距离由所述周边区域至所述中心区域逐渐变小。采用本申请的图像感测器结构,由设置突起物所形成的干扰效应,将使得条纹由周边区域至中心区域逐渐变小,甚至小于像素尺寸,有效提升显示画面品质。
技术领域
本公开涉及一种图像感测器结构,尤其涉及一种具有设置于接合垫(bond pads)与感测区(sensing area)之间的突起物(protrusions)阵列的图像感测器结构。
背景技术
图像感测器(image sensor)为一种将光图像转换为电信号的半导体元件。图像感测器一般分为电荷耦合元件(CCD)与互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像感测器。上述图像感测器中,互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像感测器包括用来检测入射光与将其转换为电信号的光二极管,以及用来传输与处理电信号的逻辑电路。
在图像感测器工艺中,于不同阶段实施多重光致抗蚀剂涂布工艺是必要的。然而,由于不平坦的晶片表面具有供后续形成,例如接合垫(bond pads)与切割道(scribelines),的不同深度沟槽,使得不均匀的光致抗蚀剂涂布经常发生,导致条纹缺陷形成于晶片上,恶化显示画面品质。
目前,在上述光致抗蚀剂涂布工艺之前,已有采用将光致抗蚀剂材料填满不同深度沟槽的技术,以平坦化晶片表面,降低条纹缺陷。然而,为填满不同深度的沟槽,需提供多重掩模,导致成本增加。
因此,开发一种可有效解决条纹缺陷的方法是众所期待的。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本公开文件的一实施例提供一种图像感测器结构(image sensor structure),包括:一基板,包括一中心区域与一周边区域;一感测区(sensing area),包括多个像素,位于所述基板的所述中心区域;多个接合垫(bond pads),设置于所述基板的所述周边区域;以及多个突起物(protrusions),设置于所述接合垫与所述感测区之间,并包围所述感测区,其中以一上视图观之,所述突起物的任意两点之间的一最大距离由所述周边区域至所述中心区域逐渐变小。
本公开图像感测器结构还包括一切割道,包围所述接合垫。
所述突起物包括光致抗蚀剂。所述突起物形成多个回路(loops)。邻近所述接合垫的所述回路的所述突起物的任意两点之间的一第一最大距离小于所述接合垫朝所述感测区的一侧的一长度。所述接合垫朝所述感测区的所述一侧的所述长度介于40μm至300μm。邻近所述感测区的所述回路的所述突起物的任意两点之间的一第二最大距离小于所述像素的一宽度。所述像素的所述宽度介于0.9μm至60μm。
所述突起物以一上视图观之,具有一梯形平面,其具有一第一侧与一第二侧,所述第二侧小于所述第一侧。所述梯形的所述第一侧面朝所述接合垫朝所述感测区的一侧。于同一回路中,所述两相邻梯形的中心点之间的一距离小于所述梯形的所述第一侧。于同一回路中,所述两相邻梯形的中心点之间的一距离大于所述梯形的所述第二侧。
所述突起物以一上视图观之,具有一菱形平面,其具有一对角线。于同一回路中,两相邻菱形的中心点之间的一距离小于所述接合垫朝所述感测区的一侧的一长度与所述菱形的所述对角线的一总合长度。于同一回路中,所述两相邻菱形的中心点之间的一距离大于所述菱形的所述对角线。
所述突起物以一上视图观之,具有一圆形平面,其具有一直径。于同一回路中,所述两相邻圆形的中心点之间的一距离小于所述接合垫朝所述感测区的一侧的一长度与所述圆形的所述直径的一总合长度。于同一回路中,所述两相邻圆形的中心点之间的一距离大于所述圆形的所述直径。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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