[发明专利]半导体芯片及包括该半导体芯片的半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体芯片，其包括：

内电压产生电路，其适于产生具有预定电平的内电压；

目标内部电路，其适于采用所述内电压执行预定操作；以及

控制电路，其适于基于由所述目标内部电路产生的操作结果信号检测所述目标内部电路的操作速度，并基于所检测到的操作速度产生控制信号；

其中用于所述目标内部电路的内电压的电压电平基于所述控制信号进行控制。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述控制电路包括：

操作速度检测单元，其适于在测试模式下基于所述目标内部电路的操作开始信号和所述操作结果信号检测所述操作速度，并产生对应于所检测到的操作速度的操作速度检测信号；以及

控制信号产生单元，其适于在所述测试模式下基于所述操作速度检测信号产生所述控制信号。

3.如权利要求2所述的半导体芯片，其中所述操作开始信号在所述测试模式下从外部接收，或者所述操作开始信号由所述控制电路产生。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，进一步包括适于存储所述控制信号的存储电路。

5.如权利要求4所述的半导体芯片，其中所述存储电路包括寄存器电路或熔丝电路。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述内电压产生电路包括：

参考电压产生单元，其适于产生参考电压，所述参考电压具有基于所述控制信号进行控制的电压电平；以及

内电压产生单元，其适于产生对应于所述参考电压的所述内电压。

7.一种半导体芯片，其包括：

多个内电压产生电路，其适于产生多个内电压并基于多个控制信号分别控制所述内电压的电压电平；

多个存储器区域，其适于采用各自的所述内电压执行数据读取操作；以及

控制电路，其适于基于从所述存储器区域读取的多个数据检测各自的所述存储器区域的操作速度，并基于各自的检测到的操作速度产生所述控制信号。

8.一种具有多个堆叠的半导体芯片的半导体集成电路，其包括：

第一半导体芯片，包括多个第一内电压产生电路和多个第一存储器区域，所述多个第一内电压产生电路适于产生分别提供给各自的第一存储器区域的多个第一内电压，并基于多个第一控制信号控制所述第一内电压的电压电平，并且所述多个第一存储器区域适于采用所述第一内电压执行数据读取操作；

第二半导体芯片，包括多个第二内电压产生电路和多个第二存储器区域，所述多个第二内电压产生电路适于产生分别提供给各自的第二存储器区域的多个第二内电压，并基于多个第二控制信号控制所述第二内电压的电压电平，并且所述多个第二存储器区域适于采用所述第二内电压执行数据读取操作；以及

第三半导体芯片，其包括控制电路，所述控制电路适于基于从所述第一半导体芯片读取的多个第一数据和从所述第二半导体芯片读取的多个第二数据检测各自的所述第一存储器区域和所述第二存储器区域的操作速度，并基于各自的检测到的操作速度产生所述第一控制信号和所述第二控制信号。