[发明专利]一种半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410528473.9 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105575760A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张纪阔 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一晶圆，从所述晶圆背面进行减薄，将所述晶圆的厚度减薄至300微米以下；
S2：在所述晶圆正面涂覆光刻胶，光刻显影后，将剩余的光刻胶高温固化作为钝化层；
S3：在所述晶圆正面贴上UV膜以支撑所述晶圆，然后将所述晶圆正面朝下放置，对晶圆背面进行等离子体处理，去除所述晶圆背面的残留钝化层；
S4：对所述晶圆正面进行UV光照射，使所述UV膜失去粘性，然后撕去所述UV膜，并在所述晶圆背面制作激光标记。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1中，将所述晶圆的厚度减薄至200微米以下。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S2中，所述光刻胶的材料为聚酰亚胺或聚苯并恶唑。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：高温固化的温度范围是300～400℃。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，所述UV膜的厚度范围是300～500微米。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S4中，采用O2、H2、N2与CF4气体中的至少一种激发出等离子体，对所述晶圆背面经高温固化的残留光刻胶进行氧化还原反应，从而去除该残留光刻胶。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述UV膜的耐受温度不低于120℃。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1中，采用化学机械研磨法对所述晶圆背面进行减薄。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1中，所述晶圆正面形成有半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
