[发明专利]一种半导体结构的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体结构的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一晶圆，从背面进行减薄，将厚度减薄至300微米以下；S2：在晶圆正面涂覆光刻胶，光刻显影后，将剩余的光刻胶高温固化作为钝化层；S3：在晶圆正面贴上UV膜以支撑晶圆，然后将晶圆正面朝下放置，对晶圆背面进行等离子体处理，去除晶圆背面的残留钝化层；S4：对晶圆正面进行UV光照射，使UV膜失去粘性，然后撕去UV膜，并在晶圆背面制作激光标记。本发明在减薄后的晶圆正面贴膜对晶圆进行支撑及保护，并采用晶圆级等离子体处理去除了制程中薄片晶圆背面由残留光刻胶高温固化而成钝化层，从而在晶圆背面制作得到清晰的激光标记，并有利于芯片的封装，可以有效避免晶圆报废，提升良率。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，涉及一种半导体结构的制作方法。

背景技术

目前，去除光刻胶的方法有水浴法(Wet-bath)、喷洒法(spray)、旋转法(spin)及喷洒与旋转相结合的方式等。对于晶圆背面的残胶，一般使用水浴法或喷洒法即可去除，且水浴法可同时去除晶圆正面及背面的普通光刻胶残胶。此外，晶圆背面的残胶也可以不用处理，在晶圆减薄的时候，残胶会被一并处理掉。

然而，一些晶圆在减薄处理之后仍然需要进一步在晶圆正面进行光刻制程，如采用型号为HD4410(负光刻胶，成分为Polyimide，聚酰亚胺)或HD8820(正光刻胶，成分为Polybenzoxazole，PBO，聚苯并恶唑)等液态绝缘聚合物作为光刻胶进行光刻显影，并进行高温固化，高温固化的光刻胶主要功能是作为晶圆正面的钝化层，该钝化层保留在最终的成品中，不需要去除。由于后续还需要在晶圆背面制作激光标记等工艺，需要将晶圆背面残留的由光刻胶高温固化而成的钝化层去除干净。但是，晶圆背面残留的光刻胶由于经过高温固化，性质已发生变化，与普通光刻胶不同，采用水浴法、喷洒法等化学方法很难去除，且由于晶圆被减薄，采用水浴法、喷洒法或旋转法也很容易导致晶圆破裂。

晶圆背面经高温固化的残留光刻胶(钝化层)将会影响后续制作的激光标记的清晰度，不利于晶圆或芯片的识别，此外，残留的钝化层会增加晶圆边缘的厚度，影响后续的晶粒封装，导致良率下降，严重的甚至会报废。

因此，提供一种用于薄片晶圆背面残留钝化层的有效去除方法以避免晶圆报废、提升良率实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体结构的制作方法，用于解决现有技术中没有有效方法去除薄片晶圆背面残留钝化层，导致晶圆报废、良率降低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体结构的制作方法，至少包括以下步骤：

S1：提供一晶圆，从所述晶圆背面进行减薄，将所述晶圆的厚度减薄至300微米以下；

S2：在所述晶圆正面涂覆光刻胶，光刻显影后，将剩余的光刻胶高温固化作为钝化层；

S3：在所述晶圆正面贴上UV膜以支撑所述晶圆，然后将所述晶圆正面朝下放置，对晶圆背面进行等离子体处理，去除所述晶圆背面的残留钝化层；

S4：对所述晶圆正面进行UV光照射，使所述UV膜失去粘性，然后撕去所述UV膜，并在所述晶圆背面制作激光标记。

可选地，于所述步骤S1中，将所述晶圆的厚度减薄至200微米以下。

可选地，于所述步骤S2中，所述光刻胶的材料为聚酰亚胺或聚苯并恶唑。

可选地，高温固化的温度范围是300～400℃。

可选地，于所述步骤S3中，所述UV膜的厚度范围是300～500微米。