[发明专利]AMOLED器件及制备方法

权利要求书

1.一种AMOLED器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：

形成聚合物基板；

在所述聚合物基板上制作基板阻障层，所述基板阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

在所述基板阻障层上制作薄膜晶体管阵列以及有机发光功能材料层，并进行阴极蒸镀形成阴极；

在所述阴极上制作封装阻障层，所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成聚合物基板的步骤，包括：

采用狭缝式涂布或旋转涂布的方式，在载体上形成聚合物基板。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚合物基板为PEN基板、PI基板、PES基板、PEEK基板中的一种。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在载体上形成的聚合物基板的厚度为5-100微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述聚合物基板上制作基板阻障层的步骤，至少包括制作石墨烯膜的过程；

在所述阴极上制作封装阻障层的步骤，至少包括制作石墨烯膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述制作石墨烯膜的步骤，包括：

采用氧化还原法直接制备石墨烯膜；或者

先采用气相沉积法在金属箔上沉积石墨烯膜，再进行化学或电化学转移。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述石墨烯膜的厚度为30纳米至1微米。

8.根据权利要求5至7任一项所述的方法，其特征在于，在所述聚合物基板上制作基板阻障层的步骤，还包括制作有机物膜的过程；

在所述阴极上制作封装阻障层的步骤，还包括制作有机物膜。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述有机物膜为PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一种。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述石墨烯膜和所述有机物膜的层数同时为1至10层。

11.一种AMOLED器件，其特征在于，所述器件包括：

聚合物基板；

制作于所述聚合物基板上的基板阻障层，所述基板阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

制作于所述基板阻障层上的薄膜晶体管阵列以及有机发光功能材料层，所述有机发光功能材料层上设有经阴极蒸镀形成的阴极；

制作于所述阴极上的封装阻障层，所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述聚合物基板为采用狭缝式涂布或旋转涂布的方式形成的聚合物基板；所述聚合物基板为PEN基板、PI基板、PES基板、PEEK基板中的一种；所述聚合物基板的厚度为5-100微米。

13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述基板阻障层为多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

所述封装阻障层为多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

所述石墨烯膜的厚度为30纳米至1微米；

所述有机物膜为PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一种；

所述石墨烯膜和所述有机物膜的层数同时为1至10层。