[发明专利]AMOLED器件及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种AMOLED器件及制备方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)是新一代显示面板，相比于一般的液晶面板，具有反应速度更快、对比度更高、视角更广的技术优点。

柔性AMOLED的基板材料通常为聚合物基板，其水汽透过率和氧气透过率比较高，水汽或氧气进入AMOLED器件，会造成有机发光功能材料的降解，因此，需要在基板以及器件的封装结构上制作阻障层(barrier)来阻挡水汽和氧气的进入。

发明人在研究中发现，传统技术的问题在于，现有的阻障层材料一般选取AlOx、SiNx、SiOx等无机材料，这些材料的脆性比较高，不能满足AMOLED器件的高柔性的要求。

发明内容

基于此，有必要提供一种AMOLED器件制备方法，应用本方法，能够满足AMOLED器件的高柔性要求。

一种AMOLED器件制备方法，包括：

形成聚合物基板；

在所述聚合物基板上制作基板阻障层，所述基板阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

在所述基板阻障层上制作薄膜晶体管阵列以及有机发光功能材料层，并进行阴极蒸镀形成阴极；

在所述阴极上制作封装阻障层，所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。

在一个实施例中，所述形成聚合物基板的步骤，包括：

采用狭缝式涂布或旋转涂布的方式，在载体上形成聚合物基板。

在一个实施例中，所述聚合物基板为PEN基板、PI基板、PES基板、PEEK基板中的一种。

在一个实施例中，在载体上形成的聚合物基板的厚度为5-100微米。

在一个实施例中，在所述聚合物基板上制作基板阻障层的步骤，至少包括制作石墨烯膜的过程；

在所述阴极上制作封装阻障层的步骤，至少包括制作石墨烯膜。

在一个实施例中，所述制作石墨烯膜的步骤，包括：

采用氧化还原法直接制备石墨烯膜；或者

先采用气相沉积法在金属箔上沉积石墨烯膜，再进行化学或电化学转移。

在一个实施例中，所述石墨烯膜的厚度为30纳米至1微米。

在一个实施例中，在所述聚合物基板上制作基板阻障层的步骤，还包括制作有机物膜的过程；

在所述阴极上制作封装阻障层的步骤，还包括制作有机物膜。

在一个实施例中，所述有机物膜为PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一种。

在一个实施例中，所述石墨烯膜和所述有机物膜的层数同时为1至10层。

基于此，还有必要提供一种AMOLED器件，能够满足AMOLED器件的高柔性要求。

一种AMOLED器件，包括：

聚合物基板；

制作于所述聚合物基板上的基板阻障层，所述基板阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

制作于所述基板阻障层上的薄膜晶体管阵列以及有机发光功能材料层，所述有机发光功能材料层上设有经阴极蒸镀形成的阴极；

制作于所述阴极上的封装阻障层，所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层，或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。

在一个实施例中，所述聚合物基板为采用狭缝式涂布或旋转涂布的方式形成的聚合物基板；所述聚合物基板为PEN基板、PI基板、PES基板、PEEK基板中的一种；所述聚合物基板的厚度为5-100微米。

在一个实施例中，所述基板阻障层为多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

所述封装阻障层为多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层；

所述石墨烯膜的厚度为30纳米至1微米；

所述有机物膜为PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一种；

所述石墨烯膜和所述有机物膜的层数同时为1至10层。

上述AMOLED器件制备方法和器件，在制作基板阻障层和封装阻障层时，选用由多层石墨烯膜形成的阻障层，或由多层石墨烯膜和有机物膜交替形成的阻障层，相比于传统技术中选用无机材料，由于石墨烯材料高阻隔性和高柔韧型，不仅满足阻障层对水汽和氧气的阻挡要求，还可以满足高柔性要求。

附图说明

图1为一个实施例中的AMOLED器件制备方法的流程示意图；