[发明专利]一种钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺有效
| 申请号： | 201410532109.X | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104294365B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 周世斌;沈定中 | 申请（专利权）人： | 成都东骏激光股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B11/00 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 孙杰,曾晓波 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 生长 硅酸 闪烁 晶体 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺，其特征在于：包含如下步骤：
（a）将固相反应料装入钼坩埚中；
（b）将坩埚放入真空炉，抽真空至炉内绝压≤10Pa；
（c）炉内充流动的弱还原性保护气体，炉内绝压为20kPa-100kPa；
（d）炉内升温，并在升温过程中至少进行一次换气，所述换气包括重新将炉内抽真空至绝压≤10Pa，再向炉内充流动的弱还原性保护气体，换气是在炉内升温至800℃和固相反应料融化温度间进行；
（e）炉内继续升温至固相反应料熔化，进行晶体生长；
其中，流动的弱还原性保护气体处于负压状态。
2.如权利要求1所述的钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺，其特征在于：所述弱还原性保护气体为Ar和H2的混合。
3.如权利要求2所述的钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺，其特征在于：所述Ar和H2的体积比为1-10:1。
4.如权利要求1所述的钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺，其特征在于：所述真空炉炉内放置有含碳物质。
5.如权利要求4所述的钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺，其特征在于：所述含碳物质为碳毡。
6.如权利要求1所述的钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺，其特征在于：还包括晶体长成后的退火过程。
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