[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：在半导体衬底上依次形成栅氧化材料层、浮栅材料层、栅间介电材料层、控制栅材料层和硬掩膜材料层；

步骤S102：对所述硬掩膜材料层、所述控制栅材料层以及所述栅间介电材料层进行刻蚀，以形成包括栅极硬掩膜、控制栅和栅间介电层的控制栅叠层结构；

步骤S103：形成覆盖所述控制栅叠层结构的顶面和侧壁以及所述浮栅材料层的介电材料层，对所述介电材料层进行刻蚀以形成位于所述控制栅叠层结构两侧的附加侧壁层，所述附加侧壁层用于在形成接触孔的过程中保护所述控制栅叠层结构；

步骤S104：对所述浮栅材料层和所述栅氧化材料层进行刻蚀，以形成包括浮栅和栅氧化层的浮栅叠层结构，其中所述浮栅叠层结构延伸至所述附加侧壁层的下方；

步骤S105：形成位于所述附加侧壁层的外侧且覆盖所述浮栅叠层结构的侧壁的栅极侧壁层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述介电材料层的材料包括氮化硅、氧化硅和高k介电材料中的一种或其中两种以上的组合。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成所述介电材料层的方法包括原子层沉积法。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述刻蚀包括基于碳氟化合物的等离子干法刻蚀。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述刻蚀包括基于碳氟化合物的等离子干法刻蚀。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述硬掩膜材料层的材料包括二氧化硅、氮化硅和金属中的至少一种，并且，形成所述硬掩膜材料层的方法包括：化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子层沉积法或炉管工艺。

7.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括如下步骤：

步骤S106：形成接触孔刻蚀阻挡层和层间介电层；

步骤S107：在所述层间介电层上形成在拟形成接触孔的区域具有开口的掩膜层；

步骤S108：利用所述掩膜层对所述层间介电层和所述接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀以形成接触孔；

步骤S109：在所述接触孔内形成导电连接件。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106中，所述接触孔刻蚀阻挡层的材料包括氮化硅，所述层间介电层的材料包括氧化硅，形成所述接触孔刻蚀阻挡层和所述层间介电层的方法包括化学气相沉积法、原子层沉积法或炉管工艺。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S107中，所述掩膜层包括光刻胶，并且所述掩膜层通过光刻工艺实现，其中，所述光刻工艺采用干式或湿式扫描式光刻机实现，或采用纳米压印技术实现，或采用自组装工艺实现。

10.一种电子装置，其特征在于，包括电子组件以及与该电子组件相连的半导体器件，其中所述半导体器件采用权利要求1至9任一项所述的半导体器件的制造方法制备。