[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极；

在所述栅极两侧的衬底中形成凹槽；

在所述凹槽中形成应力层，对所述应力层进行掺杂，形成源极和漏极；

在形成源极和漏极之后、在进行五族离子注入之前，对所述应力层进行退火，激活应力层中的掺杂离子，后续的五族离子注入会提高所述应力层中的掺杂离子的激活程度；

在激活应力层中的掺杂离子之后，对所述应力层进行五族离子注入，注入的五族离子包括锑离子、铋离子中的一种或两种；

在所述应力层上形成金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行五族离子注入的步骤包括：离子注入峰值靠近应力层的表面；

在所述应力层上形成金属硅化物层的步骤包括：使五族离子在金属硅化物层和应力层的界面处。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，对所述应力层进行离子注入的步骤中，注入的离子为锑离子。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，对所述应力层进行五族离子注入的步骤包括：

离子注入的能量在2KeV到40KeV的范围内，注入剂量在1E12到5E14个每平方厘米的范围内，注入角度在-5度到5度的范围内。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述锑离子注入到应力层的深度在50到400埃的范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中形成应力层的步骤包括：在所述凹槽中外延生长应力层。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述应力层进行掺杂，形成源极和漏极的步骤包括：

对所述应力层进行第一离子注入，第一离子注入所采用的离子包括砷离子和磷离子中的一种或两种。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成源极和漏极的步骤包括：对所述应力层进行第一离子注入之后，对所述应力层依次进行第一快速退火和激光退火。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，第一快速退火的温度在900摄氏度到1100摄氏度的范围内，激光退火的温度在1000到1300摄氏度的范围内。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料中包含碳元素和硅元素，在所述应力层上形成金属硅化物层的步骤包括：

在所述应力层和栅极上覆盖金属材料层；

进行第二退火，所述第二退火包括依次进行的低温退火和后退火；其中，所述低温退火的温度在200摄氏度到350摄氏度的范围内。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料包括SiC，所述金属硅化物层的材料包括NiPt硅化物、NiAl硅化物、NiTi硅化物、NiYb硅化物、NiIn硅化物、NiDy硅化物和Yb硅化物中的一种。

12.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第二退火的步骤包括：先进行低温退火，使应力层上的金属材料层与应力层中的硅形成初步金属硅化物层，通过选择性刻蚀去除衬底上未反应的金属材料层，保留位于应力层上的初步金属硅化物层，然后进行后退火，使得初步金属硅化物层电阻降低，形成金属硅化物层。

13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，

所述后退火为快速退火，所述快速退火的温度在400度到600度的范围内，或者，所述后退火为低温激光退火，所述低温激光退火的温度在700度到900度的范围内。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述栅极两侧的衬底中形成凹槽之后，在所述凹槽中形成应力层之前，对所述栅极两侧的衬底进行轻掺杂。