[发明专利]晶体管的形成方法

说明书

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：在所述栅极两侧的衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成应力层，对所述应力层进行掺杂，形成源极和漏极之后，对所述应力层进行五族离子注入，注入的五族离子包括锑离子、铋离子中的一种或两种，然后在所述应力层上形成金属硅化物层。锑离子或铋离子的原子半径较大，在退火过程中不容易迁移，这样在退火过程以及后续的工艺中，锑离子或铋离子容易控制在金属硅化物层和应力层的界面处，能够降低金属硅化物层和应力层之间的界面势垒，进而能够减小金属硅化物层和应力层的界面处的串联接触电阻，使得后续形成的导电插塞与源极、导电插塞与漏极之间导电性增强。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种晶体管的形成方法。

背景技术

在半导体领域中，应力技术可以向沟道区提供拉伸应力或是压缩应力，从而达到提高CMOS器件载流子迁移率的效果，进而提高晶体管的性能。

例如：在PMOS晶体管源区和漏区对应的衬底中形成凹槽，再在所述凹槽中外延生长锗硅层，对所述锗硅层进行离子注入形成源区和漏区，所述锗硅层能对PMOS晶体管的沟道施加压应力。在NMOS晶体管源区和漏区对应的衬底中也形成凹槽，在所述凹槽中形成SiC层，对所述SiC层进行离子注入形成源区和漏区，所述SiC层能对NMOS晶体管的沟道施加拉应力。

参考图1，示出了现有技术一种应用应力技术的NMOS晶体管的示意图。在衬底01中形成有浅沟槽隔离02，以将NMOS晶体管与相邻的其他NMOS晶体管或PMOS晶体管隔离，在衬底01上形成有栅极结构05。在所述栅极结构05两侧的衬底01中形成有SiC应力层03，所述栅极结构05两侧的SiC应力层03经过离子掺杂形成源极和漏极，所述SiC应力层03能够对NMOS晶体管的沟道提供拉应力。在所述SiC应力层03上还形成有金属硅化物层04，在所述金属硅化物层04上形成到导电插塞(未示出)，以对源极和漏极施加驱动电压。所述金属硅化物层04的作用是降低导电插塞与源极、导电插塞与漏极之间的接触电阻，提高导电插塞与源极、导电插塞与漏极之间的导电能力。

为保证导电插塞与源极、导电插塞与漏极之间导电性较好，所述金属硅化物层04必须具有较低的电阻，较高的热稳定性。但是依据现有技术制作的金属硅化物层04和应力层的界面处的串联接触电阻较大，使得导电插塞与源极、导电插塞与漏极之间的导电性较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶体管的形成方法，减小金属硅化物层和应力层的界面处的串联接触电阻，提高导电插塞与源极、导电插塞与漏极之间导电性。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆键合的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极；

在所述栅极两侧的衬底中形成凹槽；

在所述凹槽中形成应力层，对所述应力层进行掺杂，形成源极和漏极；

对所述应力层进行五族离子注入，注入的五族离子包括锑离子、铋离子中的一种或两种；

在所述应力层上形成金属硅化物层。

可选的，进行五族离子注入的步骤包括：离子注入峰值靠近应力层的表面；

在所述应力层上形成金属硅化物层的步骤包括：使五族离子在金属硅化物层和应力层的界面处。

可选的，对所述应力层进行离子注入的步骤中，注入的离子为锑离子。

可选的，对所述应力层进行五族离子注入的步骤包括：

离子注入的能量在2KeV到40KeV的范围内，注入剂量在1E12到5E14个每平方厘米的范围内，注入角度在-5度到5度的范围内。

可选的，所述锑离子注入到应力层的深度在50到400埃的范围内。