[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410535204.5 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105576008B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底(1)、位于所述衬底(1)表层的第二导电类型的第一掺杂区(2)、位于所述第一掺杂区(2)中的第一导电类型的若干个第二掺杂区(3)、以及位于所述衬底(1)表层的第一导电类型的第三掺杂区(4)；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
所述第三掺杂区(4)位于所述器件的低压端，所述第一掺杂区(2)从所述第三掺杂区(4)靠近高压端的一侧起延伸至所述高压端，所述第二掺杂区(3)位于所述器件的高压端；
所述器件还包括：
位于所述半导体衬底(1)和所述第一掺杂区(2)交界区域的第一导电类型的若干个第四掺杂区(5)；位于所述衬底(1)表面上的场氧化层(6)，所述场氧化层(6)位于所述高压端和所述低压端之间；
所述第四掺杂区(5)的分布密度从所述低压端的区域向所述高压端的区域递减；所述第四掺杂区(5)呈岛状分布；
有至少一个所述第二掺杂区(3)位于所述场氧化层(6)靠近所述高压端的边缘区域的下方。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述高压端的下方未设有所述第四掺杂区(5)。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括：
覆盖所述场氧化层(6)靠近所述低压端的边缘区域的多晶硅层(7)，所述多晶硅层(7)还延伸覆盖所述衬底(1)的表面。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，各所述第二掺杂区(3)的尺寸相同，且各所述第二掺杂区(3)呈等间隔排布。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第四掺杂区(5)的宽度为0.5～5微米，各所述第四掺杂区(5)之间的距离为0.5～5微米。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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