[发明专利]热点定位方法在审
| 申请号： | 201410535267.0 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105575867A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热点 定位 方法 | ||
1.一种热点定位方法，其特征在于，所述热点定位方法包括：
步骤S1，将标记载体设置在晶片的背面；
步骤S2，获取所述晶片的热点位置，在所述标记载体上设置与所述热点位置对应的 定位标记；
步骤S3，将所述晶片与所述标记载体分离；
步骤S4，将所述标记载体设置在所述晶片的正面且所述定位标记与所述热点位置对 应；以及
步骤S5，以所述标记载体的定位标记为基准在所述正面设置热点标记。
2.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述标记载体对光的反射率小于2％ 且光吸收率小于1％。
3.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述标记载体为厚度在100μm～200μm 之间的透明玻璃基片。
4.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述标记载体的平行于所述背面的 截面面积等于所述背面的面积。
5.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S1中采用粘结剂将所述标 记载体固定在所述晶片的背面。
6.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S2采用定位系统获取所述 热点位置。
7.根据权利要求6所述的热点定位方法，其特征在于，所述定位系统包括EMMI/OBIRCH。
8.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S2采用激光定标系统在所 述标记载体上设置所述定位标记；所述步骤S5利用激光定标系统在所述正面上设置所述 热点标记。
9.根据权利要求5所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
步骤S31，加热所述晶片与所述标记载体使所述粘结剂熔化；
步骤S32，将所述标记载体与所述晶片分离。
10.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S4中采用粘结剂将所述标 记载体设置在所述正面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410535267.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压环机构及半导体加工设备
- 下一篇：废旧电路板钩拔拆卸装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
