[发明专利]热点定位方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种热点定位方法。

背景技术

随着集成电路制程向小尺寸多层次不断发展，为了获得更多的功能，会在晶片正面设置 更多的金属布线层。在失效分析(FailureAnalysis，简称FA)中经常利用红外发光显微技术 (EmissionMicroscopy，EMMI)或光束引导电阻变化分析技术(OpticalBeamInduced ResistanceChange,简称OBIRCH)定位热点，但是，利用上述技术从正面进行热点定位时，金 属布线结构中的金属会吸收或反射光束，影响热点定位的准确性，因此为了避免晶片正面多 层金属布线层的金属对光束的吸收和反射，逐渐采用从晶片背面进行热点定位。

但是，现有常用检测系统中只有一套光学显微系统(OpticalMicroscope，简称OM)用来 影像采集和信号收集，因此在进行晶片背面定位分析时，没有办法直接利用激光定标系统在 晶片正面标记EMMI/OBIRCH找到的热点位置，只能在晶片的背面做标记。但是，从背面进 行热点定位时，由于衬底的阻隔作用，从背面只能检测到多晶硅层和有源层的影像不能检测 到金属布线层的影像。因此，目前在正面制作热点标记时，只能参考周围的图案，比如以周 围特别图案为参考。但是，并不是每一个需要标记的热点周围都会存在特别图案。而且，当 正面的金属布线层图像与多晶硅层和有源层的布局差别太大时，即使有特别图案也没有办法 精确定位，只能选取一个大概位置去分析，造成了失效分析的准确性低。

公开号为CN101527275A的中国专利申请公布了一种镜面背面定位系统，该系统中包括 至少两组光学显微系统，分别置于待观测晶片的正面与背面，利用EMMI/OBIRCH在晶片正 面和背面都进行定位且来精确地找出异常的位置，便于失效分析。但是此方法较复杂需要至 少两组光学显微系统设置在晶片的正面与背面互相对准，因此对两组光学显微系统的对准精 确度要求较高；并且该方法需要两组光学显微系统，因此成本较高。

发明内容

本申请旨在提供一种热点定位方法，以解决现有技术无法精确定位热点的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种热点定位方法，该方法包括： 步骤S1，将标记载体设置在晶片的背面；步骤S2，获取晶片的热点位置，在标记载体上设置 与热点位置对应的定位标记；步骤S3，将晶片与标记载体分离；步骤S4，将标记载体设置在 晶片的正面且定位标记与热点位置对应；以及步骤S5，以标记载体的热点标记为基准在晶片 的正面设置热点标记。

进一步地，上述标记载体对光的反射率小于2％且光吸收率小于1％。

进一步地，上述标记载体的厚度为100μm～200μm之间的透明玻璃基片。

进一步地，上述标记载体的平行于上述背面的截面面积等于上述背面的面积。

进一步地，上述步骤S1中采用粘结剂将上述标记载体固定在上述晶片的背面。

进一步地，上述步骤S2采用定位系统获取热点位置。

进一步地，上述定位系统包括EMMI/OBIRCH。

进一步地，上述步骤S2采用激光定标系统在上述标记载体上设置上述定位标记；上述步 骤S5利用激光定标系统在上述正面上设置上述热点标记。

进一步地，上述步骤S3包括：步骤S31，加热上述晶片与上述标记载体使上述粘结剂熔 化；步骤S32，将上述标记载体与上述晶片分离。

进一步地，上述步骤S4中采用粘结剂将上述标记载体设置在上述正面。

应用本申请的技术方案，根据晶片背面的热点位置在标记载体上设置对应的定位标记， 然后将标记载体转移至晶片的正面，以标记载体上的定位标记为基准，在晶片的正面设置热 点标记，利用设置在晶片上的热点标记即可准确获取热点位置，进而解决了现有技术中无法 精确定位热点的问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实 施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了本申请提供的热点定位方法的流程图；

图2示出了本申请一种优选实施方式提供的晶片倒置后的结构剖面图；

图3示出了在图2所示的倒置晶片上设置标记载体后的结构剖面图；