[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法

说明书

一种非易失性存储器件包括：控制电路，其基于指示读操作的开始的读命令信号和就绪/忙信号产生集成激活信号，以及响应于集成激活信号来同时产生电压控制信号和路径控制信号；电压提供电路，其响应于电压控制信号来产生用来执行读操作的电压；以及路径控制电路，其响应于所述路径控制信号来控制至在其中执行读操作的存储单元阵列的电气路径连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年4月7日提交的申请号为10-2014-0041015的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及非易失性存储器件及其操作方法，并且更具体地涉及包括控制读操作的电路的非易失性存储器件以及操作该非易失性存储器件的方法。

背景技术

根据当电源切断时储存的数据是否得以保留，把存储器件分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。

快闪存储器件是非易失性存储器件的代表类型。在快闪存储器件的存储单元中，存储单元的阈值电压由通过浮栅和控制栅之间的福勒诺德海姆(F-N,Fowler-Nordheim)隧穿储存于其中的电荷量确定，以及根据阈值电压把数据储存在存储单元中。

发明内容

本公开的实施例针对一种非易失性存储器件,其能够通过响应于读命令信号基本上同时执行用来执行读操作的多个控制信号使产生用于执行读操作的控制命令的过程简化；以及针对一种操作该非易失性存储器件的方法。

实施例还针对一种非易失性存储器件，其能够通过减少在产生用来执行读操作的电压之前执行的过程的数目来防止由于电压产生而引起的操作延迟；以及针对一种操作该非易失性存储器件的方法。

根据一个实施例的一方面，提供了一种非易失性存储器件。该非易失性存储器件可以包括控制电路、电压提供电路和路径控制电路，所述控制电路基于指示读操作的开始的读命令信号和就绪/忙信号产生集成激活信号、以及响应于集成激活信号来基本上同时产生电压控制信号和路径控制信号，所述电压提供电路响应于电压控制信号来产生用来执行读操作的电压，所述路径控制电路响应于路径控制信号来控制至在其中执行读操作的存储单元阵列的电气路径连接。

根据一个实施例的一方面，提供了一种操作非易失性存储器件的方法。该方法可以包括：基于指示读操作的开始的读命令信号和就绪/忙信号产生集成激活信号；响应于集成激活信号来在基本上相同时间点产生用于控制用来执行读操作的电压的产生的控制信号和用于控制所产生的电压被提供至存储单元阵列所通过的电气路径的控制信号。

根据本公开的实施例的非易失性存储器件及其操作方法可以通过响应于指示读操作的开始的信号而同时产生用于激活非易失性存储器件的多个部件的操作的控制信号来使执行读操作花费的时间最小化。

根据本公开的实施例的非易失性存储器件及其操作方法可以通过响应于指示读操作的开始的信号而通过简单逻辑处理过程同时产生用于激活多个部件的操作的控制信号来使实现读操作的过程简化。

在下面标题为“具体实施方式”的部分中描述这些和其它特征、方面和实施例。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将可更清楚地理解本公开的主题的上面和其它方面、特征和其它优点，在附图中：

图1图示了根据本公开的一个实施例的非易失性存储器件；

图2图示了根据本公开的一个实施例的控制电路；

图3图示了根据本公开的一个实施例的集成激活信号发生电路；

图4和图5是图示根据本公开的一个实施例的操作非易失性存储器件的方法的流程图；

图6是图示根据本公开的一个实施例的操作非易失性存储器件的方法的概念视图。