[发明专利]封装结构及其制法在审
申请号: | 201410538088.2 | 申请日: | 2014-10-13 |
公开(公告)号: | CN105575915A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 蒋静雯;陈光欣;陈贤文 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/498;H01L21/58;H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制法 | ||
1.一种封装结构,包括:
承载件,其具有相对的第一表面与第二表面,且该第一表面上形 成有至少一凹槽;
至少一电子元件,其设于该凹槽中;
绝缘层,其形成于该凹槽中,以包覆该电子元件;
线路部,其形成于该承载件的第一表面上且电性连接该电子元件; 以及
多个导电体,其设于该承载件中并连通该承载件的第一表面与第 二表面,且该导电体电性连接该线路部。
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该承载件为经封装 或未经封装的半导体元件。
3.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该承载件为封装基 板、半导体晶片、晶圆或中介板。
4.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该电子元件外露于 该承载件的第二表面。
5.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该电子元件凸出该 第一表面。
6.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该绝缘层的表面与 该电子元件的表面齐平。
7.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,形成该绝缘层的材 质为模封材、干膜材、线路增层材或光阻材。
8.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该封装结构还包括 至少一设于该承载件的第二表面上的介电层,且于该介电层上设有一 电性连接该导电体的线路层。
9.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该封装结构还包括 多个导电元件,其设于该线路部上。
10.如权利要求1所述的封装结构,其特征为,该封装结构还包括 另一电子元件,其设于该承载件的第二表面上并电性连接该导电体。
11.一种封装结构的制法,其包括:
提供一具有相对的第一表面与第二表面的承载件,且该第一表面 上形成有至少一凹槽;
设置至少一电子元件于该凹槽中;
形成绝缘层于该凹槽中,以包覆该电子元件,且该电子元件外露 于该绝缘层;
形成线路部于该承载件的第一表面上,且该线路部电性连接该电 子元件;
形成多个贯穿该承载件的该第一表面与该第二表面的穿孔;以及
形成导电材于该穿孔中以作为导电体,并令该些导电体电性连接 该线路部。
12.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该承载件 为经封装或未经封装的半导体元件。
13.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该承载件 为封装基板、半导体晶片、晶圆或中介板。
14.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该电子元 件外露于该承载件的第二表面。
15.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该电子元 件凸出该第一表面。
16.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该绝缘层 的表面与该电子元件的表面齐平。
17.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,形成该绝 缘层的材质为模封材、干膜材、线路增层材或光阻材。
18.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该制法还 包括形成至少一介电层于该承载件的第二表面上,且形成线路层于该 介电层上,该线路层电性连接该导电体。
19.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该制法还 包括形成多个导电元件于该线路部上。
20.如权利要求11所述的封装结构的制法,其特征为,该制法还 包括设置另一电子元件于该承载件的第二表面上,且该另一电子元件 电性连接该导电体。
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