[发明专利]一种晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，包括：

步骤S1：提供晶圆，所述晶圆至少包括半导体衬底和位于所述半导体衬 底正面上的金属焊盘；

步骤S2：对所述半导体衬底的背面进行背部研磨并图案化，以形成硅通 孔开口，露出所述金属焊盘；

步骤S3：在所述半导体衬底的背面上和所述硅通孔开口的侧壁上形成绝 缘层；

步骤S4：在所述绝缘层上形成重布线层，以覆盖所述绝缘层；

步骤S5：沉积临时填充材料，以填充所述硅通孔开口；

步骤S6：图案化所述重布线层，以去除位于所述硅通孔开口两侧的部分 所述重布线层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述 临时填充材料包括负性光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中， 所述临时填充材料的厚度为10-50微米。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤S5包括：

步骤S51：在所述重布线层上和所述硅通孔开口中贴敷所述临时填充材 料；

步骤S52：图案化所述临时填充材料，以去除所述重布线层上方的所述 临时填充材料；

步骤S53：烘焙所述临时填充材料，以固化临时填充材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S51中，所述 临时填充材料的贴敷压力为0.5-0.01个大气压，温度为50-150℃。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S52中，所述 图案化方法包括：选用硅通孔的光刻版对所述临时填充材料进行曝光。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6之后，所 述方法还进一步包括：

步骤S7：在所述重布线层上方形成钝化层，以覆盖所述重布线层和所述 临时填充材料，所述钝化层选用聚对苯撑苯并双嗯唑或聚酰亚胺；

步骤S8：图案化所述钝化层，以形成开口，露出部分所述重布线层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S8中，图案 化所述钝化层之后，还进一步包括对所述钝化层进行烘焙的步骤。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S8之后，所 述方法还进一步包括：

步骤S9：在所述开口中形成焊料球，以用于封装；

步骤S10：对所述晶圆进行切割。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤S31：在所述半导体衬底的背面上、所述硅通孔开口的侧壁和底部 沉积绝缘材料层；

步骤S32：蚀刻所述绝缘材料层，以去除所述硅通孔开口底部的所述绝 缘材料层，以形成所述绝缘层。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括：

步骤S61：在所述重布线层上形成图案化的掩膜层，以露出所述硅通孔 开口两侧的部分所述重布线层；

步骤S62：以所述掩膜层为掩膜，湿法蚀刻所述重布线层；

步骤S63：去除所述掩膜层。