[发明专利]加热固化型导电性硅酮组合物、导电性粘着剂、导电性芯片粘合材料、光半导体装置

权利要求书

1.一种加热固化型导电性硅酮组合物，其特征在于，其含有：

(A)在分子中具有至少一个由下述通式(1)所表示的结构的有机聚硅氧烷：100质量份，

式中，m为0、1、2中的任一个，R¹为氢原子、苯基或卤化苯基，R²为氢原子或甲基，R³为取代或未取代的相同或不同的碳原子数1～12的一价有机基，Z¹为-R⁴-、-R⁴-O-、-R⁴(CH₃)₂Si-O-中的任一种，R⁴为取代或未取代的相同或不同的碳原子数1～10的二价有机基，Z²为氧原子、或是取代或未取代的相同或不同的碳原子数1～10的二价有机基；

(B)有机过氧化物：相对于前述(A)成分的总量100质量份，为0.1～10质量份；

(C)导电性粒子：以前述(A)成分与前述(B)成分的固体成分100质量份作为标准时，为0.1～1000质量份。

2.如权利要求1所述的加热固化型导电性硅酮组合物，其中，前述(A)成分的有机聚硅氧烷的Z¹为-R⁴-，前述Z²为氧原子。

3.如权利要求1所述的加热固化型导电性硅酮组合物，其中，前述(A)成分的有机聚硅氧烷的Z¹为-R⁴-O-或-R⁴(CH₃)₂Si-O-，前述Z²为取代或未取代的相同或不同的碳原子数1～10的二价有机基。

4.如权利要求1所述的加热固化型导电性硅酮组合物，其中，在前述(A)成分的有机聚硅氧烷中，具有0.1mol％以上的SiO₂单元。

5.如权利要求2所述的加热固化型导电性硅酮组合物，其中，在前述(A)成分的有机聚硅氧烷中，具有0.1mol％以上的SiO₂单元。

6.如权利要求3所述的加热固化型导电性硅酮组合物，其中，在前述(A)成分的有机聚硅氧烷中，具有0.1mol％以上的SiO₂单元。

7.如权利要求1～6中任一项所述的加热固化型导电性硅酮组合物，其中，前述(A)成分的有机聚硅氧烷在分子中具有至少一个由下述通式(2)所表示的结构：

式中，m、R¹、R²、R³、R⁴与上述相同。

8.一种导电性粘着剂，其特征在于，其由权利要求1～6中任一项所述的加热固化型导电性硅酮组合物所构成。

9.一种导电性粘着剂，其特征在于，其由权利要求7所述的加热固化型导电性硅酮组合物所构成。

10.一种导电性芯片粘合材料，其特征在于，其由权利要求1～6中任一项所述的加热固化型导电性硅酮组合物所构成，用于将半导体元件导电性连接于线路板。

11.一种导电性芯片粘合材料，其特征在于，其由权利要求7所述的加热固化型导电性硅酮组合物所构成，用于将半导体元件导电性连接于线路板。

12.一种光半导体装置，其特征在于，其具有使权利要求10所述的导电性芯片粘合材料固化而获得的固化物。

13.一种光半导体装置，其特征在于，其具有使权利要求11所述的导电性芯片粘合材料固化而获得的固化物。