[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有隔离结构，相邻隔离结构之间的基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有掺杂区，且基底表面、隔离结构表面以及栅极结构顶部和侧壁表面具有层间介质层；

刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成伪沟槽，所述伪沟槽暴露出隔离结构表面以及栅极结构侧壁表面，且所述伪沟槽侧壁向层间介质层凹陷，向层间介质层凹陷的伪沟槽侧壁表面具有第一凹陷度；

形成覆盖于所述伪沟槽侧壁表面的侧墙，使所述伪沟槽侧壁表面具有第二凹陷度，且第二凹陷度小于第一凹陷度；

形成覆盖于所述侧墙表面且填充满伪沟槽的绝缘层；

在形成绝缘层后，刻蚀去除所述层间介质层以及侧墙，在相邻绝缘层之间形成导电沟槽，所述导电沟槽底部暴露出掺杂区表面；

形成填充满所述导电沟槽的导电层。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的工艺步骤包括：在形成伪沟槽后，形成覆盖于层间介质层表面、伪沟槽底部和侧壁表面的侧墙膜；采用各向异性刻蚀工艺，刻蚀去除位于伪沟槽底部以及层间介质层顶部表面的侧墙膜，形成覆盖于所述伪沟槽侧壁表面的侧墙。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺的工艺参数为：刻蚀气体包括主刻蚀气体和辅助刻蚀气体，主刻蚀气体包括C_xF_y气体，辅助刻蚀气体包括O₂、H₂、Ar、N₂或C_mH_nF_z中的一种或多种，刻蚀气体总流量为10sccm至10000sccm，源功率为100瓦至5000瓦，偏置功率为0瓦至500瓦。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层和侧墙的材料为氧化硅。

5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氮化硅。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层和侧墙的材料为氮化硅。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀去除所述层间介质层以及侧墙。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电层包括：位于导电沟槽底部表面和侧壁表面的扩散阻挡层、位于扩散阻挡层表面且填充满导电沟槽的导电体层。

11.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理溅射法形成所述扩散阻挡层。

12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为氮化钛，物理溅射法的工艺参数为：提供氮化钛靶材，溅射气氛气体为Ar，Ar流量为20sccm至100sccm，溅射功率为1000瓦至3500瓦。

13.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电体层的材料为铜、铝或钨。

14.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述层间介质层内形成伪沟槽的工艺步骤包括：在所述层间介质层表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层至暴露出隔离结构表面，在所述层间介质层内形成伪沟槽；去除所述图形化的掩膜层。