[发明专利]基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法

权利要求书

1.一种基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，该方法包括步骤：

(1)从待检测的同一支复合绝缘子上截取多支样品，并记录在截取前各样品上的明显老化现象；

(2)将各样品分别放入水煮容器中进行水煮预老化处理；

(3)对各样品进行加压试验，记录加压过程中各样品的泄漏电流值以及局部异常温升现象；

(4)对水煮后的各样品进行解剖并沿径向拉扯其伞裙，使得各样品的护套与芯棒脱离或伞裙与护套被撕裂，记录各样品的芯棒表面硅橡胶材料的残余量；

(5)根据记录结果，按照预定的验收标准对各样品进行验收，若其中有任一支样品不符合验收标准，则判定所述复合绝缘子的交界面存在缺陷。

2.如权利要求1所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(1)中，从待检测的复合绝缘子上截取6支样品，样品位置分别位于绝缘子高压侧、中压侧与低压侧，每部位截取相邻2支，样品长度为30mm。

3.如权利要求2所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述绝缘子高压侧位置距高压金具不超过2个伞裙单元，所述中压侧与低压侧位置距地不超过2个伞裙单元。

4.如权利要求1所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(1)中还包括：在截取各样品后，应用细砂纸研磨各样品的界面以及界面边缘。

5.如权利要求1所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(2)中，对于护套厚度小于等于5mm的样品，其水煮时间为100±0.5h；对于厚度大于5mm的样品，其水煮时间为200h。

6.如权利要求1所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(2)中，在对各样品进行水煮时采用NacL浓度0.1％的去离子水。

7.如权利要求6所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(2)中还包括：在对各样品进行水煮预老化后，取出各样品并将其在常温去离子水中浸泡15分钟后用滤纸将水吸干。

8.如权利要求1所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(3)中，在对各样品进行加压试验过程中，起始电压为1kV，升压速度为每秒1kV，直至实验电压达到12kV后维持该电压在2分钟内不变。

9.如权利要求1所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(4)中，在对各样品解剖过程中，若所述复合绝缘子为整体注射成型，则以合膜缝为切割线来划开样品的伞裙和护套；若所述复合绝缘子为挤包穿伞成型，则以任意一条轴向直线为切割线来划开样品的伞裙和护套，划开深度直至其芯棒但不损伤芯棒。

10.如权利要求1至9任一所述的基于水扩散与解剖法的复合绝缘子交界面缺陷检测方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述验收标准具体为：

a、在截取样品前，样品表面无明显老化现象；

b、对于水煮后的样品，在加压过程中其泄漏电流值与电压成线性增长；

c、对于水煮后的样品，在加压过程中其泄漏电流不超过1mA；

d、对于水煮后的样品，在加压过程中，根据使用红外相机拍摄的结果，无明显的局部温升区域，各区域间温差不超过1K；

e、在对水煮后的样品进行解剖时，极难将护套从芯棒上剥离，在剥离后芯棒表面残存硅橡胶的面积超过70％。