[发明专利](PANI/RGO)n/Hemin修饰电极及其对过氧化氢的电化学检测方法有效
申请号: | 201410552642.2 | 申请日: | 2014-10-17 |
公开(公告)号: | CN105572188B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 雷武;吴礼华;郝青丽 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/30 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pani rgo sub hemin 修饰 电极 及其 过氧化氢 电化学 检测 方法 | ||
1.一种(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极,其特征在于:所述的修饰电极以玻碳电极为基底,由聚苯胺PANI、电化学还原的氧化石墨烯RGO和氯化高铁血红素Hemin层层自组装,通过下述步骤制备而成:
步骤1,将玻碳电极先后在粒径为0.1μm和0.03μm的氧化铝粉末上研磨至光滑,依次在蒸馏水和丙酮中超声干净;
步骤2,将玻碳电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法扫描,取出后用蒸馏水冲洗,并用氮气干燥;
步骤3,将步骤2所得电极在PANI溶液中浸泡,取出后用HCl溶液冲洗,并用氮气干燥;所述PANI溶度浓度为0.5mgmL-1~2mgmL-1,浸泡时间为10~30min,HCl溶液的pH值为1.0~4.0;
步骤4,将步骤3所得电极在GO分散液中浸泡,取出后用蒸馏水冲洗,并用氮气干燥;所述GO分散液浓度为0.5mgmL-1~2.0mgmL-1,浸泡时间10~30min;
步骤5,将步骤3~步骤4循环处理1~10次;
步骤6,将步骤5所得电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法反复扫描,取出后用蒸馏水冲洗,并用氮气干燥;所述H2SO4溶液浓度为0.5M~2.0M,循环伏安法的电位窗口为0V~-1.0V、扫描圈数为3~10圈;
步骤7,将Hemin溶液滴至步骤6所得电极表面,并在干燥器中干燥,制得(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极;所述Hemin溶液浓度为0.5mgml-1~2.0mgml-1,pH值为6.8~8.0,Hemin溶液的滴加量为2~8μL。
2.根据权利要求1所述的(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极,其特征在于:步骤2中所述H2SO4溶液浓度为0.5M~2.0M,循环伏安法的电位窗口为-0.3V~0.6V、扫描圈数为3~10圈。
3.一种基于权利要求1所述(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
将(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极置于pH值7.0的缓冲液中,通氮气10~20min,连续加入过氧化氢,使用电流—时间曲线法,设定施加电位为-0.15V~-0.4V,检测(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的电化学响应;
所述缓冲液为磷酸氢二钠和磷酸二氢钠。
4.根据权利要求3所述的(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法,其特征在于:所述过氧化氢的浓度范围为0.1~6.4μM。
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