[发明专利](PANI/RGO)n/Hemin修饰电极及其对过氧化氢的电化学检测方法有效

专利信息
申请号: 201410552642.2 申请日: 2014-10-17
公开(公告)号: CN105572188B 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 雷武;吴礼华;郝青丽 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: pani rgo sub hemin 修饰 电极 及其 过氧化氢 电化学 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极,其特征在于:所述的修饰电极以玻碳电极为基底,由聚苯胺PANI、电化学还原的氧化石墨烯RGO和氯化高铁血红素Hemin层层自组装,通过下述步骤制备而成:

步骤1,将玻碳电极先后在粒径为0.1μm和0.03μm的氧化铝粉末上研磨至光滑,依次在蒸馏水和丙酮中超声干净;

步骤2,将玻碳电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法扫描,取出后用蒸馏水冲洗,并用氮气干燥;

步骤3,将步骤2所得电极在PANI溶液中浸泡,取出后用HCl溶液冲洗,并用氮气干燥;所述PANI溶度浓度为0.5mgmL-1~2mgmL-1,浸泡时间为10~30min,HCl溶液的pH值为1.0~4.0;

步骤4,将步骤3所得电极在GO分散液中浸泡,取出后用蒸馏水冲洗,并用氮气干燥;所述GO分散液浓度为0.5mgmL-1~2.0mgmL-1,浸泡时间10~30min;

步骤5,将步骤3~步骤4循环处理1~10次;

步骤6,将步骤5所得电极浸在H2SO4溶液中经循环伏安法反复扫描,取出后用蒸馏水冲洗,并用氮气干燥;所述H2SO4溶液浓度为0.5M~2.0M,循环伏安法的电位窗口为0V~-1.0V、扫描圈数为3~10圈;

步骤7,将Hemin溶液滴至步骤6所得电极表面,并在干燥器中干燥,制得(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极;所述Hemin溶液浓度为0.5mgml-1~2.0mgml-1,pH值为6.8~8.0,Hemin溶液的滴加量为2~8μL。

2.根据权利要求1所述的(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极,其特征在于:步骤2中所述H2SO4溶液浓度为0.5M~2.0M,循环伏安法的电位窗口为-0.3V~0.6V、扫描圈数为3~10圈。

3.一种基于权利要求1所述(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

将(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极置于pH值7.0的缓冲液中,通氮气10~20min,连续加入过氧化氢,使用电流—时间曲线法,设定施加电位为-0.15V~-0.4V,检测(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的电化学响应;

所述缓冲液为磷酸氢二钠和磷酸二氢钠。

4.根据权利要求3所述的(PANI/RGO)n/Hemin修饰电极对过氧化氢的检测方法,其特征在于:所述过氧化氢的浓度范围为0.1~6.4μM。

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