[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410553975.7 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105575902B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李若园 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供前端器件，所述前端器件包括衬底以及在所述衬底上形成的PMOS器件和NMOS器件；
在所述PMOS器件和所述NMOS器件上沉积应力层；
去除所述PMOS器件上的应力层；
进行退火处理；
以剩余的应力层为掩膜进行N+离子注入，使所述PMOS器件的阈值电压升高；以及
去除所述剩余的应力层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理为尖峰退火和激光退火之一或其组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入步骤中所注入的离子是砷离子。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力层为SiN层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PMOS器件和所述NMOS器件之间以浅沟槽隔离结构相隔离。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PMOS器件包括PMOS栅极材料层以及形成于所述PMOS栅极材料层两侧的偏移侧墙。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NMOS器件包括NMOS栅极材料层以及形成于所述NMOS栅极材料层两侧的偏移侧墙。
8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。
9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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