[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；

步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形，以保证在所述光刻胶层发生倾斜后得到正常的图案；

步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述光罩上形成根据所述光刻胶层倾斜程度而设计的变形的光罩图案，以保证在所述光刻胶层发生倾斜后得到正常的图案。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述光罩中形成有向与所述光刻胶层倾斜方向相反的方向倾斜的光罩图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述光罩上形成所述图案，并在所述图案的一侧形成若干缝隙，以在曝光显影后缓冲所述光刻胶发生的倾斜，得到正常的图案。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述光罩上所述图案的图案密度小的一侧的区域中形成所述缝隙。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述光刻胶层中形成深开口，所述深开口的侧壁具有竖直轮廓。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，以所述光刻胶层为掩膜蚀刻所述MEMS晶圆，以在所述MEMS晶圆中形成深凹槽，所述深凹槽的侧壁具有竖直轮廓。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括:

步骤S4：在所述深凹槽中填充牺牲材料层；

步骤S5：执行MEMS工艺，去除所述牺牲材料层。

9.一种基于权利要求1至8之一所述方法制备得到的MEMS器件。

10.一种电子装置，包括权利要求9所述的MEMS器件。