[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

说明书

本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形；步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。本发明的优点在于：1,不用增加额外的掩膜或工艺(Mask/Process)，成本低廉。2,通过目前图层(Layer)图形的改变，来改善MEMS图形的定义。3,改进了MEMS产品的性能，提高了良率(Yield)。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。

背景技术

对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。

在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integrated circuit，IC)技术。

其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。

在MEMS器件的制备过程中经常会使用到深度的刻蚀，所以导致在光刻工艺中，需要越来越厚的光刻胶PR作为阻挡，PR厚度的增加会导致一些沟槽(例如用于沉积牺牲材料并释放去除的图案Release Hold)的图形定义发生偏差，导致MEMS器件形貌异常，影响良率(Yield)和MEMS器件的性能。

因此需要对目前所述MEMS器件的制备方法作进一步的改进，以便消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服目前存在问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；

步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形；

步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。

可选地，在所述步骤S2中，在所述光罩上形成根据所述光刻胶层倾斜程度而设计的变形的光罩图案，以保证在所述光刻胶层发生倾斜后得到正常的图案。

可选地，在所述步骤S2中，所述光罩中形成有向与所述光刻胶层倾斜方向相反的方向倾斜的光罩图案。

可选地，在所述步骤S2中，在所述光罩上形成所述图案，并在所述图案的一侧形成若干缝隙，以在曝光显影后缓冲所述光刻胶发生的倾斜，得到正常的图案。

可选地，在所述光罩上所述图案的图案密度小的一侧的区域中形成所述缝隙。

可选地，在所述步骤S2中，在所述光刻胶层中形成深开口，所述深开口的侧壁具有竖直轮廓。