[发明专利]一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法在审
| 申请号： | 201410554615.9 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104332408A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭;易春艳;姚树歆 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制作方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：在半导体衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层具有第一图形；
步骤S02：在所述硬掩膜层上涂布光刻平坦化层，对所述光刻平坦化层以及硬掩膜层进行刻蚀，以使所述硬掩膜层具有第二图形；
步骤S03：去除所述光刻平坦化层，并在所述硬掩膜层的侧壁形成侧墙；
步骤S04：以所述侧墙为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀，以形成由上往下逐渐变窄的沟槽；
步骤S05：在所述沟槽内填入二氧化硅，而后去除沟槽内的部分二氧化硅，并保留部分高度的二氧化硅；
步骤S06：去除所述侧墙，以所述硬掩膜层为掩膜对所述沟槽进行第二刻蚀并去除所述硬掩膜层，以得到鳍式场效应晶体管的鳍部。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，步骤S01中，所述硬掩膜层为双层结构，由上往下依次包括不定性碳层以及多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为所述不定性碳层的厚度为
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，步骤S04中，所述沟槽的侧壁与所述半导体衬底平面所成角度的范围为80°～95°。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，步骤S05中，保留的二氧化硅的高度小于去除的二氧化硅的高度。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，步骤S05中，去除沟槽内的部分二氧化硅采用热磷酸或者氢氟酸。
7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，步骤S05中，去除沟槽内的部分二氧化硅的速率为
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，步骤S03中，所述侧墙的材质为氮化硅或者二氧化硅，所述侧墙的厚度为
9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，步骤S06中，去除所述侧墙采用热磷酸或者氢氟酸。
10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，其特征在于，第二刻蚀后，去除所述沟槽内保留的部分高度的二氧化硅。
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