[发明专利]一种形成HARP层间介质层的方法有效
| 申请号： | 201410554779.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105514021B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;徐建华;齐金和;周洁鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 harp 介质 方法 | ||
1.一种形成HARP层间介质层的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有待填充的间隙；
步骤S2：利用含硅前驱物和含氧前驱物通过HARP工艺在所述间隙中沉积第一HARP层间介质层；
步骤S3：利用所述含氧前驱物的等离子体处理所述第一HARP层间介质层，其中所述等离子体处理使所述第一HARP层间介质层的组成更均一，分子排列更整齐，从而使得所述第一HARP层间介质层更加致密、稳定、硬度更大；
步骤S4：多次重复所述步骤S2和S3，直至将所述间隙填满。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后还包括：
步骤S5：以PECVD工艺在所述HARP层间介质层上覆盖等离子增强型层间介质层；以及
步骤S6：以CMP工艺去除所述等离子增强型层间介质层，并终止于所述HARP层间介质层表面。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述间隙中沉积所述第一HARP层间介质层之前还包括：在所述间隙中预先沉积接触刻蚀停止层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述接触刻蚀停止层为氮化硅。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅前驱物为TEOS，且所述含氧前驱物为O3。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一HARP层间介质层的沉积在300℃-500℃进行。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一HARP层间介质层的沉积在430℃进行。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述含氧前驱物的等离子体处理所述第一HARP层间介质层的时间为80s-100s。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子增强型层间介质层由TEOS和O2通过PECVD工艺形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
