[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、OLED背板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：有源层和源漏电极，其特征在于，

所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层，且，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述合金化膜层通过在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述合金化处理为激光处理或者快速退火处理。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层的最上层，或者整个所述有源层采用P型硅制成。

5.根据权利要求1或4所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述源漏电极的最底层，或者整个所述源漏电极采用金属钛制成。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述合金化膜层为金属钛与P型硅形成的合金化膜层。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：栅电极和栅绝缘层；

所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还设置有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层设置在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接。

8.一种OLED背板，其特征在于，包括：权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管，或者，权利要求8所述的OLED背板。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层的工序和形成源漏电极的工序，其特征在于，还包括：

在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，其中，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，具体为：

在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理，具体包括：

在完成有源层与源漏电极的接触孔刻蚀之后，沉积所述第一种材料的膜层；

通过构图工艺，刻蚀掉所述接触孔之外的所述第一种材料，保留所述接触孔内的所述第一种材料；

对所述接触孔内的所述第一种材料与有源层的最上层进行合金化处理，生成所述第一种材料与所述第二种材料的合金化膜层。

13.根据权利要求11或12所述的制造方法，其特征在于，所述合金化处理为激光处理或者快速退火处理。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，

所述有源层的最上层或者整个所述有源层采用P型硅制成，所述源漏电极的最底层或者整个所述源漏电极采用金属钛制成；所述合金化处理具体为：

采用1500～2000W的激光功率，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描；或者，

使用快速退火设备，在氩气气氛下，在600～700℃温度下进行快速退火处理。