[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、OLED背板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、OLED背板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管，应用广泛。于显示领域如OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光)显示，薄膜晶体管主要用于形成驱动电路，控制一个独立像素上显示信号的加载。

薄膜晶体管主要包括：有源层、栅电极、栅绝缘层、源电极和漏电极。其中，有源层一般为功能材料层，实现半导体器件的电学性能，源电极和漏电极用来实现器件电流的输入和输出，一般由金属制成。在OLED背板工艺中，半导体层一般为多晶硅薄膜，电极与半导体层的接触其实质为金属与多晶硅之间的接触，金属与多晶硅之间的接触电阻会直接影响薄膜晶体管的电流-电压(IV)特性，接触电阻越大，器件源漏极间的寄生电阻越大，不仅会加大电路的功耗和噪声，也会影响了电路的速度。因此，如何降低金属与多晶硅之间的接触电阻，即在半导体与金属之间形成更理想的欧姆接触，是本领域技术人员一直在探究的问题。

金属与半导体的接触，如果表现为理想的欧姆接触，其接触面的电阻值即远小于半导体本身的电阻，当有电流流过时，欧姆接触上的电压降远小于器件本身的压降，这种接触不影响器件的电流-电压特性，或者说器件的电流-电压特性是由器件本身的电阻决定的。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、OLED背板和显示装置，能够降低金属与半导体之间的接触电阻，形成较理想的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明的实施例提供一种薄膜晶体管，包括：有源层和源漏电极，所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层，且，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同。

可选地，所述合金化膜层通过在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到。

可选地，所述合金化处理为激光处理或者快速退火处理。

可选地，所述有源层的最上层或者整个所述有源层采用P型硅制成。

可选地，所述源漏电极的最底层或者整个所述源漏电极采用金属钛制成。

可选地，所述合金化膜层为金属钛与P型硅形成的合金化膜层。

进一步地，所述的薄膜晶体管还包括：栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还设置有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层设置在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接。

本发明实施例还提供一种OLED背板，包括：任一项所述的薄膜晶体管。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括：任一项所述的薄膜晶体管，或者，所述的OLED背板。

另一方面，本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层的工序和形成源漏电极的工序，还包括：在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，其中，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同。

可选地，在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，具体为：在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理。

可选地，在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理，具体包括：

在完成有源层与源漏电极的接触孔刻蚀之后，沉积所述第一种材料的膜层；

通过构图工艺，刻蚀掉所述接触孔之外的所述第一种材料，保留所述接触孔内的所述第一种材料；

对所述接触孔内的所述第一种材料与有源层的最上层进行合金化处理，生成所述第一种材料与所述第二种材料的合金化膜层。

可选地，所述合金化处理为激光处理或者快速退火处理。

具体地，所述有源层的最上层或者整个所述有源层采用P型硅制成，所述源漏电极的最底层或者整个所述源漏电极采用金属钛制成；所述合金化处理具体为：采用1500～2000W的激光功率，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描；或者，使用快速退火设备，在氩气气氛下，在600～700℃温度下进行快速退火处理。